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Sr2+对白光LED用荧光粉YAGCe3+的增红研究.pdf
第32卷 第11期 发 光 学 报 Vol32 No11
2011年11月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Nov.,2011
文章编号:10007032(2011)11109905
2+ 3+
Sr 对白光LED用荧光粉YAG∶Ce 的增红研究
1 1 1,2 2 1
赵 聪 ,马明星 ,韩 涛 ,曹仕秀 ,朱达川
(1.四川大学 材料科学与工程学院,四川 成都 610065;
2.重庆文理学院材料交叉学科研究中心,重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室,重庆 402168)
摘要: 3+
采用共沉淀法合成Y SrGd AlO ∶0.06Ce 系列荧光粉,用X射线衍射仪、荧光分光光度计对
2.78-x x 0.1 5 12
粉体晶型、发光性能进行表征。采用HSP6000光谱分析仪,测荧光粉与InGaN/GaN芯片配合所得白光的色
2+
温。结果表明,Sr 对其波长和发光强度有显著影响:波长随着x的增大先红移,然后发生微弱蓝移。当
x<0.05时,发光强度几乎不变;x在0.05~0.1之间时,发光强度减弱缓慢;x>0.1时,发光强度迅速减弱。
随着波长和发光强度的变化,色温先降低后升高。当x>0.2时出现杂相A,对荧光粉发光性能有负面效应。
3+
关 键 词:Y SrGd AlO ∶0.06Ce 荧光粉;红移;共沉淀法
2.78-x x 0.1 5 12
中图分类号:O482.31 PACS:78.55.Hx PACC:7855H 文献标识码:A
DOI:10.3788/fgx1099
3+
场所决定的。YAG∶Ce 的发光原理是蓝光激发
1 引 言 3+
Ce 的5d 4f电子发生特征跃迁发射发出黄
→
1997年,日亚化学公司利用蓝光InGaN/GaN [5] 3+
光 。一些报道中提到,向YAG∶Ce 中掺杂
3+ 3+ 3+ 2+ 3+ [210]
芯片上涂敷 YAG∶Ce 黄色荧光粉,由荧光粉发 Gd 、Pr 、Eu 、Sm 等元素 ,可以调节
3+
出的黄光与InGaN/GaN芯片所发出的蓝光混合 YAG∶Ce 黄色荧光粉的发射波长,使得红色成分
3+
形成了白光。这种方法得到的白光 LED器件的 相对增加;但上述元素的掺杂将引起 YAG∶Ce
发光颜色随驱动电压和荧光粉涂层厚度的变化而 荧光粉的发光强度大幅度减弱。要解决此问题,
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