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第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ! # 5678! (68# ! ! ! ! ! ! 年 月 ! !$$# # %’()*)+,-.(/0 ,1*)2’%,(3-%4,.* +9:;!$$# 基外延 中位错的光助湿法化学显示 % 3P ! P P O P P P P 赵丽伟 刘彩池 滕晓云 郝秋艳 朱军山 孙世龙 ! ! ! ! ! P P ! ! 王海云 徐岳生 冯玉春 郭宝平 ! ! ! 河北工业大学材料学院 信息功能材料研究所!天津 $ P M$$PM$ ! 深圳大学光电子学研究所!深圳 $ ! NPT$#$ ! 摘要!采用 卤钨灯作为光源!对 外延膜在 溶液中进行化学腐蚀!以显示晶体位错 采用扫描电 P$$$S UG( h, 8 子显微镜%原子力显微镜观察位错密度及表面形貌!得到了清晰的腐蚀图形 提出了腐蚀机理!光照激发位错处产 8 生电子 空穴对!加速位错处的腐蚀速率 表面出现了大量的六角腐蚀坑位错露头$优化了 溶液的腐蚀 W 8UG( 8 h, 条件8 关键词!UG(湿法化学腐蚀六角腐蚀坑 # =+CC #P$/ #TNN !T$0 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # 12M$VY$NN 3 $!NM4VP!$$# $#4P$V#4$N ! ! ! ! ! ! 的优化腐蚀工艺+ J 引言 ! K 实验 ! 562 熔点和饱和蒸汽压高!很难制备出体单 晶!因此它都是在其他衬底上通过异质外延而获得 样品是用金属有机化学

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