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宝石人工合成方法第二部分.docVIP

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宝石人工合成方法第二部分

助熔剂法又称高温熔体法,将原料成分在高温下熔解于低熔点助熔剂熔体中,形成饱和溶液,然后通过缓慢地降温或在恒定温度下蒸发熔剂等方法,形成过饱和溶液而析出晶体。 似自然界矿物晶体从岩浆中结晶的过程。 一、助熔剂法的原理: 顾名思义,一定有助熔剂。 助熔剂条件:熔化后能溶解待生长的晶体材料且不易挥发。 常用助熔剂:PbF2、Pb02、Bi203、B203、BaO-Bi203等极性化合物。 另外还有一些复杂的化合物,如钨酸盐、钼酸盐等 。 助熔剂法生长晶体的原理: A熔点为TA,B熔点为TB, E为共结点。2)将A、B组分混合,混合比例X。当温度为TX时,混合组分X融成溶液。随着温度的下降,X组分至Q点,相当于TQ时,结晶析出A。 3)温度进一步降低,熔融的成份沿共结线TA-Q-E下滑。A在X混合溶液中的成分不断增加,溶液处于过饱和状态,不断析出A组分,并长大成晶体。 从图可知:由于A组分中加入低熔点的B组分后,A组分的熔点和结晶点由TA下降到TQ,这样就可以在较低的温度下生长出高熔点的宝石晶体。因为B组分起到了降低熔点的作用,故称为助熔剂。 二、助熔剂法的分类 1.自发成核法 (1)缓冷法:在高温使材料熔融于助溶剂中,缓慢降温冷却,使晶体从饱和熔体中自发成核并逐渐成长的方法。 (2)反应法:助熔剂和原料熔融后,助溶剂与原料反应,反应后的晶体成分在熔融体中维持一定的过饱和度,生长晶体的方法。 (3)蒸发法:是在恒温下,蒸发熔剂,使熔体过饱和,从而使晶体析出并长大的方法。 ①籽晶旋转法:由于助熔剂熔融后粘度较大,采用籽晶旋转,搅拌熔体,使晶体长大,且少含包裹体。(合成红宝石) ②顶部籽晶旋转提拉法:这是①法和晶体提拉法的结合。边旋转边提拉,晶体绕籽晶逐渐长大。 ③底部籽晶水冷法:水冷部位形成过饱和熔体抑制了熔体其它部位成核,保证籽晶的生长。 1.对待生长晶体有极好的溶解性,随温度的变化,溶解度变化也较大 。 2.在宽的温度范围内,所生长的晶体是唯一的稳定相,助熔剂与晶体成分不能形成中间产物。 3.助熔剂具有较低的粘度和较高沸点。 4.挥发性小,毒性小,容易清除。 1.适用性强,几乎所有材料都有合适的助熔剂。 2、温度要求低,许多难熔化合物或熔点处易挥发和变价的化合物等均能生长。 3.包裹体类似天然宝石。 4. 设备简单。(坩锅/加热炉) 5.生长周期长,速度慢,晶体小,容易夹杂助熔剂阳离子,且有些助熔剂有腐蚀性和毒性,容易污染环境。 一、Espig自发成核缓冷法生长祖母绿 1.主要设备: 高温马弗炉和铂坩埚.据炉体温度,可采用硅碳棒发热体炉(1350℃)或硅钼棒发热体炉(1650℃)。炉子呈长方体或圆柱状。保温性好,铂坩埚出入方便。 2.工艺流程 1)铂坩埚装料(按比例) 烧结块经导管至坩埚底部,2)悬挂籽晶: 籽晶在挡板下,防止浮到表面.3)高温炉加热熔化原料: 加热材料在熔剂中,底部烧结块向上扩散,上部石英向下,相遇后发生化学反应,形成祖母绿溶液;4)晶体生长:组分绕籽晶长 3)生长结束—倾倒残余溶液—晶体回炉—冷却室温 3.工艺条件 1)原料为纯净的绿柱石粉或纯氧化物。2)助熔剂:多采 用LiM0207,且熔点低于祖母绿(1750℃)。 3)合成祖母绿的稳定温度为900—11500C,时间320小时,严格控温,否则易形成金绿宝石1200—13000C)或硅铍石(1100—12000C)。4)严格供料:Si02 2—4周/次,其它2天一次。5)坩埚顶、底部温度要高,中温要低,存在温差。6)晶体大小2-10毫米,产量小。一年最大2厘米 二、吉尔森籽晶法祖母绿 1.主要设备 铂坩埚中间竖向加铂栅栏,分为二区(高、低温区,产生冷、热对流)。二区温差小,以保持低的过饱和度,防止硅铍石和祖母绿的自发成核。 2.生长过程 1)优化种晶:先选用无色绿柱石切片做籽晶,在二面上合成祖母绿再把合成 祖母绿做种晶。 2)放置原料:热区放入绿柱石块原料,冷区挂种晶。 3)加热坩埚,使热区原料熔融后,扩散到稍低温的冷区,形成过饱和的条件,在籽晶上生长晶体。 3.工艺条件 1)原料采用绿柱石块,助熔剂采用钼酸锂。 2)两区对流可用机械来驱动。 3)典型生长工艺:1mm/月,7个月厚7mm14mm*20mm大的晶体可得18ct的刻面宝石。 4) 由于使用籽晶,生长晶体体积大,质量好。 三、助熔剂法生长红宝石晶体 1.主要设备 1)铂坩锅、电炉(与Espig相似)。 2)坩埚变速旋转器:使熔体处于搅动中充分熔融。 3)籽晶杆转动,晶体遇冲刷,包裹体减少。 ①放置原料和助熔剂于坩埚内。②将坩埚放入装有旋转底座的电炉内加热。 ③在高于饱和温度20℃,旋转坩埚,使原料充分熔融,缓慢下降籽晶、降低温度,使溶液达到过饱和,晶体

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