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160 GHz带宽LiNbO3电光调制器微波损耗的限制.pdf
光电子·髓摊第12卷第6期2001年6月
Journalofoptoelectroni…LaserV01.12
No.6Jun.2001
·光纤通讯·
文章缩号:1005—0088(2001)080608。03
160
GHz带宽LiNb03电光调制器微波损耗的限制‘
周伟勘,吴伯瑜,彭吉虎,易 鸿,张 兵,宋 琼
(清华大学电子工程系.北京100084)
擅要:本文通过模拟LiNbOa电光调制器的电传输特性,提出了厚电拯共面波导(CPW)行波电摄微波损
耗的经验公式,在此基础上研究了带宽为160GHz的调制器的微波损耗因素。结果表明.辐射损耗将占
重要地位,而且小的电极尺寸更易实现宽带调制。
关键词:LiNbOs调制器{微波损耗;共面波导
4
中圈分类号:TNSl 文献标识码:A
LosseslimitationOiltheBandwidthof GHz
160 Modulator
LiNb03Optical
ZHOU Ji—hu,YI
Wel—qin,WUBo—yu,PENG Hong,ZHANG
Bing,SONGQiong
of
(DepartmentElectronic 100084.China)
Engineering,TsinghuaUniversity,Beijing
microwave characteristicsofa electrodeonLiN—
Abstrae!:The coplanar
propagation waveguide(CPWl
bOt modulatorarestudiedandalossformulabasedOn data is
optical experimentalfittingproposed.The
loss a GHz modulatorisalsostuided.Theresultsshowthattheradiation
on 160 LiNb03
requirement
isthe smallsizeelectrode widebandwidthmodulation.
loss fact,and of is for
major good
words:LiNbO,modulator;microwave
Key losses}coplanarwaveguide(CPW)
1 引 言 2微波损耗对调制器带宽的影响
随着光纤通信系统传输速率的提高,对电光调制 调制器共面波导(CPW)行波电极的微波损耗包
器
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