160 GHz带宽LiNbO3电光调制器微波损耗的限制.pdf

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光电子·髓摊第12卷第6期2001年6月 Journalofoptoelectroni…LaserV01.12 No.6Jun.2001 ·光纤通讯· 文章缩号:1005—0088(2001)080608。03 160 GHz带宽LiNb03电光调制器微波损耗的限制‘ 周伟勘,吴伯瑜,彭吉虎,易 鸿,张 兵,宋 琼 (清华大学电子工程系.北京100084) 擅要:本文通过模拟LiNbOa电光调制器的电传输特性,提出了厚电拯共面波导(CPW)行波电摄微波损 耗的经验公式,在此基础上研究了带宽为160GHz的调制器的微波损耗因素。结果表明.辐射损耗将占 重要地位,而且小的电极尺寸更易实现宽带调制。 关键词:LiNbOs调制器{微波损耗;共面波导 4 中圈分类号:TNSl 文献标识码:A LosseslimitationOiltheBandwidthof GHz 160 Modulator LiNb03Optical ZHOU Ji—hu,YI Wel—qin,WUBo—yu,PENG Hong,ZHANG Bing,SONGQiong of (DepartmentElectronic 100084.China) Engineering,TsinghuaUniversity,Beijing microwave characteristicsofa electrodeonLiN— Abstrae!:The coplanar propagation waveguide(CPWl bOt modulatorarestudiedandalossformulabasedOn data is optical experimentalfittingproposed.The loss a GHz modulatorisalsostuided.Theresultsshowthattheradiation on 160 LiNb03 requirement isthe smallsizeelectrode widebandwidthmodulation. loss fact,and of is for major good words:LiNbO,modulator;microwave Key losses}coplanarwaveguide(CPW) 1 引 言 2微波损耗对调制器带宽的影响 随着光纤通信系统传输速率的提高,对电光调制 调制器共面波导(CPW)行波电极的微波损耗包 器

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