GaN基蓝绿光LED电应力老化分析.pdf

第34卷第11期 发 光 学 报 Vol·34No·11 0FLUMINESCENCENov．，2013 2013年11月 CHINESEJOURNAL 文章编号：1000-7032(2013)11-1521-06 GaN基蓝绿光LED电应力老化分析 李志明1，潘书万2，陈松岩3+ (1．三安光电股份有限公司，福建厦门361009；2．华侨大学工学院，福建泉州362021； 3．厦门大学物理系半导体光子学研究中心，福建厦门361005) mA加速电流下的电应力老化研究，发 摘要：对InGaN／GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20，40，60 h后，其电学性能表现出一定的共性与差异性：在小测量电流下， 现蓝光与绿光样品经过60mA电流老化424 mA)下，两者的光衰减幅度基本相同 绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％；而在较大测量电流(20 (18％)。同时，蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致，反映出它们具有相似的退化机 制，绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为，而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上 对GaN基外延结构进行了优化，优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3％。 关键词：氮化镓；光衰减；电应力；退化机理 中图分类号：TN383．1 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1521 Blue onThe MechanismofGaN-based Analysis Ageing andGreenLEDElectricalStresses by U Shu—wan2，CHENSong—yan3+ Zhi．ruin91，PAN 361009，China； (1．SaranOptoelectronicsCo，Ltd．，Xiamen 362021，China； 2．CollegeofEngineering，HuaqiaoUniversity，Qnanzhou PhotonicsResearch Center，Xiamen 361005，China) 3．DepartmentofPhysics。Semwonduc把r University，Xiamen }CorrespondingAuthor，E—mail：sychen@xmu．edu．crt behavioroftherelated ofInGaN—basedblueand LED were Abstract：The reliability green chips mAconstantcurrent to h room 60 wit