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SEMTEM=SPM样品制备技术
样品制备
样品制备
单晶生长
薄膜制备
真空蒸发薄膜
溅射薄膜
其他薄膜
薄膜生长过程
物理和化学方法制备纳米材料
纳米线:
碳纳米管
量子点
TEM样品制备
SEM样品制备
SPM样品制备
表面成分分析样品制备
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1、 晶生长
晶体质量:纯度、完整性、均匀性
根据生长原料状态,单晶生长分为:
熔融法、溶液法、汽相法、固相法
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1.1 熔融法:
优点:生长速度快、生长大晶体
缺点:不适用于有固态相变材料、熔体和单晶有相同成分
分为:提拉法、坩埚凝固法、无坩埚凝固法
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(a)提拉法(Czochralski (CZ) )
坩埚选择:石英(1350 C), Pt(1600 C), Ir(2200 C)
转速:10-100 rpm, 提拉速度:1-100 mm/h,控温:0.1-0.2 C
非氧化材料可在大气环境生长,易氧化材料可通过惰性气体保护
优点:无机械应力,实时监控,定向生长,短时间获得大晶体
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适宜于提拉法生长的晶体有:半导体:Si,Ge,
激光晶体: YAG ,红宝石
光电晶体:LiNbO , LiTiO , PbMoO
3 3 4
沉底材料:蓝宝石等
其他类似的方法:泡生法
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(b) 坩埚凝固法:
优点:简单、便捷
缺点:晶体畸变、多晶
适用于:光学晶体CaF , LiF, 闪烁晶体NaI,多
2
元高温超导材料BSCCO等
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(c)无坩埚法
适用于高熔点或与坩埚反应的材料
(i)焰熔法 (ii)浮区法
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