SEMTEM=SPM样品制备技术.pdf

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SEMTEM=SPM样品制备技术

样品制备 样品制备 单晶生长 薄膜制备 真空蒸发薄膜 溅射薄膜 其他薄膜 薄膜生长过程 物理和化学方法制备纳米材料 纳米线: 碳纳米管 量子点 TEM样品制备 SEM样品制备 SPM样品制备 表面成分分析样品制备 PDF created with pdfFactory Pro trial version 1、 晶生长 晶体质量:纯度、完整性、均匀性 根据生长原料状态,单晶生长分为: 熔融法、溶液法、汽相法、固相法 PDF created with pdfFactory Pro trial version 1.1 熔融法: 优点:生长速度快、生长大晶体 缺点:不适用于有固态相变材料、熔体和单晶有相同成分 分为:提拉法、坩埚凝固法、无坩埚凝固法 PDF created with pdfFactory Pro trial version (a)提拉法(Czochralski (CZ) ) 坩埚选择:石英(1350 C), Pt(1600 C), Ir(2200 C) 转速:10-100 rpm, 提拉速度:1-100 mm/h,控温:0.1-0.2 C 非氧化材料可在大气环境生长,易氧化材料可通过惰性气体保护 优点:无机械应力,实时监控,定向生长,短时间获得大晶体 PDF created with pdfFactory Pro trial version 适宜于提拉法生长的晶体有:半导体:Si,Ge, 激光晶体: YAG ,红宝石 光电晶体:LiNbO , LiTiO , PbMoO 3 3 4 沉底材料:蓝宝石等 其他类似的方法:泡生法 PDF created with pdfFactory Pro trial version (b) 坩埚凝固法: 优点:简单、便捷 缺点:晶体畸变、多晶 适用于:光学晶体CaF , LiF, 闪烁晶体NaI,多 2 元高温超导材料BSCCO等 PDF created with pdfFactory Pro trial version (c)无坩埚法 适用于高熔点或与坩埚反应的材料 (i)焰熔法 (ii)浮区法

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