ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究.pdfVIP

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2015-10-01 发布于重庆
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ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究

EPE 电子工业专用设备 · 技术与设备· EquipmentforElectronicProductsManufacturing CMP ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究 1 1 1 2 刘玉岭,李嘉席 ,檀柏梅 ,梁存龙河北工业大学天津 ; 河北冀雅电子有限公司河北石家庄 (1. , 300130 2. , 050071) 摘要:提出了在碱性浆料中多层布线导体铜化学机械抛光的模型对铜所需达到的 ULSI , CMP 平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。关键词:化学机械抛光;多层布线;甚大规模集成电路;铜浆料抛光液 ( ) 中图分类号:TN30512 文献标识码:A 文章编号:1004-4507(2007)10-0017-05 CMPStudyofMultilayerWiringConductor CopperinULSIManufacturing 1 1 1 2 LIUYu-ling,LIJia-xi,TANBai-mei,LIANGCun-long (1.HebeiUniversityofTechnology,Tianjin300130,China;2.HebeiJiyaElectronicLimitedCompany,Shijiazhuang050071,China) Abstract:AmodelforcopperCMPinalkalinepolishslurryisintroducedinthepaper.Alotofstudy onthebestchoiceforthecomponentsofcorrespondingpolishslurry,theglobalplanarization,theselec- tive,thecontrolofpolishrate,thestabilityandpurenessofthepolishslurryrequiredbycopperCMP havebeenmade. Keywords:CMP;Multilayerwiring;ULSI;Copper;Slurry 1 引言 CMP技术是唯一能对亚微米器件提供全局平面化 [1，2] 的技术。随着 IC工艺的发展以及DRAM和逻辑器件在ULSI的多层布线中层间引线正在由传统的的微型化大容量的要求,器件向着立体化、多层布铝转向铜。因为铜的电阻率低,电迁移阻率高,器件线结构发展。布线的每一层平整度均要求 φ200mm 寿命更长,且器件的RC(阻容)及时间特性都优于在 100nm以内,才能保证高成品率、高可靠性。而传统的铝,更加适合高频器件和大功率器件。采用收稿日期: 2007-10-08 作者简介: 刘玉岭，男,教授,博士生导师,1963年毕业于南开大学化学系,主要从事集成电路及基础材料的工艺技术研究, 在半导体材料加工、硅外延材料的制备、硅.硅键合新技术、IC衬底材料的杂质与二次缺陷的控制等方面取得多项成果,获国家发明