激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究.pdf

48 2002 《激光杂志》2002年第23卷第2期LASERJOURNAL(Vol23．No．2 激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的 制备参数和退火工艺的研究W珥 n 梁札正1 张海燕1 何艳阳1 陈可心2 王卫乡2 刘颂豪2 提要：用O旺红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米si，激光强度越大，则siH受热温度越高，纳米Sl的成核率越高，纳 米s核的密度越大，每一个核生长所吸收的si原子数目越少，从而所得的纳米s·粒小而均匀，当激光强度减小到一十低限阈值． 则sH温度太低．不能裂解。Si心的流速越快．则纳米Si成核后生长期越短，纳米s粒也小而均匀。当SiH4流建快到一个高限 两值，剐s}II受热时同太短，升不剜裂解所需的高温。以上2个产生纳米s的阚值正相关。纳米s{制取后退火脱H，3440cra叫 光谱带红移并增强．2150cm 1光滑带形状变化，1lOOcm叫光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明青。健在纳米s很大的表 面上出现。为了减轻古。键出现．纳米sl应在Ar气氛巾而不是在空气中，从低于300C的温度开始遇火。 关t词：LICVD法，纳米si，制备参数．退火，红外吸收光谱 The件searchofthe preparation嘶咖ete体and ofthenalno—Si LIC巾 tedmology preparedby annealing ChenKexin2 LiangL赫。w。丑Ⅱ”gHahn‘HeYanymJ91 WangW砘rlan92Liu Songha02 of (1DepartmentPhysi蓝．G岫ngdongUniversjtyofTechnok,#：y，Guar啦hou Applied 510080) (2I∞tituteofQ憎nturnEleetmni岱．SouthChimNormal 310631) University，GL呻}lou Ak概t：Prellarenam—si infraredlaserinducedchemical the the bya)2 vap叫deI：啦ition．Thelargerlaserinter^ityis．the higher ruano-Snucleation S诖丑一l麓atedtemperaturewillbe，thehigherthe ratev1儿be．thedenserthenat．o-Sinucleuswillk．andlhelf娜Sia㈣ willbe曲∞rbed{orthe growthof∞chrame-Si redut荡 nucleus，thus．thetlanc-SiIⅪ