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激光限制结晶技术制备nc-SiSiO2多层膜.pdf
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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激光限制结晶技术制备!#$% $%’( 多层膜!
乔 峰 黄信凡 朱 达 马忠元 邹和成 隋妍萍 李 伟 周晓辉 陈坤基
(南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 !##$% )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
!##% ! %# !## % ’
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用 : 层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了
()*+ ,
: 多层膜 在激光诱导限制结晶原理基础上,使用 准分子脉冲激光为辐照源,对 : 多层膜进
()*+ ,- *+. / 012 ()*+ ,- *+.
! !
行辐照,使纳米级厚度的 : 子层晶化 散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米 颗粒在
()*+ , / 3(4(5 *+
原始的 : 子层内形成,晶粒尺寸可以根据 : 层的厚度精确控制 还研究了样品的光致发光( )特性以及
()*+ , ()*+ , / 67
激光辐照能量密度对 性质的影响
67 /
关键词:脉冲激光,多层膜,限制结晶
: , ,
)*++ 8’99 :%8#; !99
退火方法制备5?)*+- *+.! 多层膜在未来器件制造中
引 言 的应用是有限的/ 本研究小组先前已提出了一种新
的方法———超薄 ()*+ 子层的激光诱导限制结晶方
[]
纳米硅( )材料的制备与性能表征是当今凝 8
5?)*+ 法 ,在室温环境下瞬时完成对超薄()*+ 子层的可
聚态物理与微电子学领域中的研究热点之一,它将 控晶化 本文采用 准分子脉冲激光辐照 :
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