- 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
《《IGBT绝缘栅双极型晶体管》.doc
IGBT
求助编辑百科名片
IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
目录
结构
工作特性静态特性
动态特性
方法
IGBT导通
IGBT关断
IGBT阻断与闩锁
发展历史
输出特性与转移特性
模块简介
等效电路IGBT模块的选择
使用中的注意事项
保管时的注意事项
结构
工作特性静态特性
动态特性
方法
IGBT导通
IGBT关断
IGBT阻断与闩锁
发展历史
输出特性与转移特性
模块简介
等效电路IGBT模块的选择
使用中的注意事项
保管时的注意事项
展开
编辑本段结构
IGBT结构图
左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给NPN晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
三菱制大功率IGBT模块
编辑本段工作特性
静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。 通态电流Ids 可用下式表示: Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。 由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
动态特性
IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间, tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和
您可能关注的文档
- 《《ICE60601-1-2 英文版》.pdf
- 《《ICE_Diesel_Contracts_CH》.pdf
- 《《ICE_Monthly_Oil_Report》.pdf
- 《《ICE_Monthly_Soft_Fast_Facts_Chinese》.pdf
- 《《ICE_USDX_Brochure》.pdf
- 《《ice中文手册》.pdf
- 《《ICE的PROE教程合并01-09》.pdf
- 《《ICE的PROE教程合并10-18》.pdf
- 《《ICE的PROE教程合并19-27》.pdf
- 《《ICE的PROE教程合并28-36》.pdf
- 华鑫证券-传媒行业-2025年策略之时代的β看传媒布局价值步入文化强国建设周期.pdf
- 华福证券-永新股份-002014-塑料软包领军企业,高分红凸显长期价值.pdf
- 华创证券-资产配置快评-总量“创”辩第91期:再议政策转向.pdf
- 华安证券-立华股份-300761-黄鸡业务稳健增长,生猪业务持续发力.pdf
- 华安证券-2024Q3公募基金及陆股通持仓分析:内外资在消费风格仓位上出现分歧.pdf
- 华安证券-“打新定期跟踪”系列之一百九十一:10月打新收益创年内新高.pdf
- 国元证券-微观流动性观察:市场量能小幅回升,资金流入A500超90亿元.pdf
- 国信证券-尚太科技-001301-锂电负极领先企业三季度业绩稳步增长.pdf
- 国信证券-三美股份-603379-制冷剂上涨趋势延续看好四代制冷剂布局.pdf
- 国信证券-人工智能行业专题:全球云厂商复盘AI驱动新一轮资本开支周期.pdf
文档评论(0)