HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系.pdfVIP

第 36 卷　第 2 期　1999 年 4 月 　　　　　　　半导体情报 33 工作报告 HEM T 的材料结构和二维电子气浓度的关系 李效白　崔立奇　张文俊　贾海强 (信息产业部电子十三所专用集成电路国家重点实验室, 石家庄　05005 1) 摘要　给出了H EM T 和 PH EM T 的数学物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面 调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流 之间的相互关系。 关键词　 　 　模型　异质结　二维电子气　 　材料 H EM T PH EM T M B E Rela t ion sh ip Between Structure Size of the M a ter ia ls an d 2 D im en s iona l E lectr ic Ga s D en s ity L i X iaob a i, Cu i L iq i, Zh an g W enjun , J ia H a iq ian g ( . , 13 , , 05005 1) S ta te K ey L ab of A S I C the th I ns titu te m in is try of I I S h ij iaz huang 　 A bstract T h e m ath p hy sica l m o del o f H EM T an d PH EM T h a s b een p re sen ted in th is p ap er. T h e relat ion h a s b een deta iled sy stem at ica lly b etw een st ru ctu re size o f th e m ate r ia l sp ace layer , p lan e m o du lated dop ed layer , dep leted b ar r ier layer an d tw o d im en sion a l elect r ic ga s den sity an d ch ann el cu r ren t o f th e dev ice in th is p ap er. 　 　 　 　 　2 　 　 Keywords H EM T PH EM T M o del H etero st ru ctu re D E G M B E M ater ia l 已有不少文献报道了界面 2 (二维电 D E G 1　引　言 [ 1～ 8 ] ) 子气 的性质 , 计算了2 的浓度, 分析