InP单晶材料现状与展望.pdfVIP

维普资讯 趋势与展望 · 电 子 工 业 专 用 设 备 ■ · Equipn~ntfor勘ec嘶 jPl圳 tsM明 瞳c1瞻啦 InP单晶材料现状与展望 孙聂枫，周晓龙，陈秉克，孙同年 (河北半导体研究所 专用集成 电路国家级重点实验室，河北 石家庄 05O051) 摘 要：介绍了制备 InP单晶材料的主要方法，包括传统液封直拉技术 (LEC)、改进的LEC技术、气 压控制直拉技术(VCZ／PC—LEC)／垂直梯度凝 固技术(VGF)／垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方 法进行了分析和对比，指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径 InP单晶生长技术的发展 和关键 因素。 关键词：液封直拉法； 气压控制直拉法； 垂直梯度凝 固； 单晶材料 中图分类号：TN304．053 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4507(2005)10—0010—05 DevelopmentandStatusofInPSingleCrystal SUNNie-feng，ZHOUXiao-long，CHENBing-ke，SUNTong—nian (NationalKeyLab．ofASIC，HebeiSemiconductorResearchInstitute，Shijiazhuang050051) Abstract：ThemethodofInPsinglecrystalgrowth，includingLEC，TB—LEC，VCZ／PC—LEC，andVGF／VB techniqueareintroduced．Thesetechnologiesarecompared， andtheiradvantagesandthelatestdevelop— mentareindicated，respectively．Th edevelopmentandkeytechnologyoflargediameterInPcrystalgrowth arediscussed． Keywords：Liguid——encapSulatedCzochralskiProcess； Vapor——pressure——controlledCzochralski； Ver—— ticalGradientFreeze； InPSingleCrystal InP是最早被制备出的III—V族化合物。随着 高速率的光通信系统。因为这些系统中必需的III— 当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电 V族三元、四元合金 InGaAs光探测器、InGaAsP激 池的快速发展，InP的一系列优越特性得以发挥，也 光器等在这个波长范围，而InP与这些合金晶格匹 引起人们越来越多的关注。 配。因此 InP就是生产光通讯中InP基激光二极管 现代石英光纤在光通信中最小的损耗是在 (LD)，发光二极管 (LED)和光探测器等的关键材 1．30~1．55Pm。因此这是光纤通信 的两个主要窗 料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、 口，前者用于短距离局域通信网，后者用于长距离 放大、接收等功能。事实上，目前全球高速互联网就 收稿 日期 ：2005-09-29 作者简介：孙聂枫，男，高级工程师，长期从事化合物半导体单晶材料制备和性质研究。获 2001年国防科学技术一等奖、2002 年国家科技进步二等奖，连续三届获得全国化合物半导体材料，微波，光电器件会议优秀论文奖，在 国内外学术刊 物和会议上发表论文50余篇。 维普资讯 ■ 电 子 工 业 专 用 设 备 EquipmentforElectronicProductsM 附曲lctlI—ng · 趋势与展望 · 是建立在这些器件 的基础上 。