SiC颗粒的高温氧化动力学.pdfVIP

第23卷 第 6期 材 料 研 究 学 报 Vol_23 NO．6 2009年 l2月 CHINESE JOURNAL OFM ATERIALSRESEARCH December2009 SiC颗粒的高温氧化动力学 李玉海 黄晓莹 王承志 李 颖 1．沈阳理工大学材料科学与工程学院 沈阳 110168 2．沈阳仪表科学研究院 沈阳 110043 摘 要 研究了SiC颗粒在927℃、1027℃和1127℃空气中的高温氧化动力学．结果表明，温度越高SiC颗粒的氧化速率常数 越大，氧化反应越容易进行；SiC颗粒的高温氧化分为氧化前期和氧化后期两个阶段．氧化前期的反应速率受界面化学反应的控制； 氧化后期受扩散控制，其表观活化能远 比氧化前期的大．SiC颗粒的高温氧化过程符合两个阶段式模型：氧化前期的氧化速率常数 。 = 143．37exp( )(mg．m-2．min一)，氧化后期的氧化速率常数kD=3．61x10exp( ；掣)(mgm·-2．rain-1)． 关键词 材料科学基础学科，SiC颗粒，高温氧化动力学，氧化速率 分类号 TB321 文章编号 1005—3093(2009)06—0582—05 H igh temperatureoxidation kineticsofSiC particles LIYuhai HUANG Xiaoying W ANG Chengzhi LIYing。 ． SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ShenyangLigongUniversity，Shengyang110168 2．ShenyangInstituteofScienceandTechnologyInstrument，Shenyangj10043 M anuscriptreceivedMarch31，2009；inrevised form September16，2009 木Towhomc0rrespondenceshouldbeaddressed，Tel：(024E—mail：yuhaiAi@qq．corn ABSTRACT TheoxidationkineticsofSiCparticleinairatthetemperature927℃ 、1027oC、1127℃ wasinvestigatedbycontinuousweighingmethodinhightemperatureoxidationfurnace．Theresultsshow thattheoxidationrateconstantincreaseswiththerisingtemperature．0xidationprocessofSiC particle can bedivided intotheearlierandtheIaterperiod．OxidationratewascontrolledbysurfacechemicaI reactionintheearlierperiodandbydiffusioninlaterperiod．Apparentactivationenergyinthelaterperiod ismuchbiggerthanthatintheearlierperiod．Theoxidationprocessconformstotwo—stagemode1．In theearlierperiod =143．37exp(—：=-j；2 )(mgm·-2．min--1)，Inthelaterperiodkp=3．61x108exp( ；；) (mgm·-2．min ) KEY W ORDS foundationaldisciplineinmaterialsscience，SiC particle，hightemperatureoxidation kinetics．ox