表面活性剂与螯合剂复配用以清洗硅片的应用探讨.pdfVIP

年 月 !))* ’!))* +,-(./.0123(4516/.7-+1(82+913/ /:; 用含表面活性剂和螯合剂的清洗液 清洗硅片的研究 * * * * ! 曹宝成 于新好 马 瑾 马洪磊 刘忠立 山东大学光电材料与器件研究所 济南 C* ’ !)*))D 中国科学院半导体研究所 北京 C! ’ *)))E?D 摘要 目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 清洗技术 文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新 F 3+4 型半导体清洗剂和清洗技术 并利用 射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 分别比较了用两种清洗技术清 G ’ 洗过的硅片表面 测试结果表明 它们的去污效果基本相当 但对硅片表面的粗糙化影响方面 新型半导体清洗 ’ ’ 技术优于标准3+4 清洗技术 关键词 表面清洗 形貌 F H H GI/ FE*M) HNM)HMEM JKLL + 中图分类号F9(?)ON 文献标识码F4 文章编号F)!?@=*NNC!))*D)@*!!M@)= P 引言 ^ 实验方法 目前 半导体工业生产中普遍采用的清洗技术 本文报道的新型半导体清洗工艺采用了我们研 ’ 是标准 清洗技术 多年来 人们对 清洗 制的 和 新型清洗剂 分别取 份 ’ @* @! * 3+4 3+4 8_‘ 8_‘ 技术的清洗效果进行了深入的研究 证明 或 与 份去离子水混合配制成清 ’ @* @! * Q:RS 8_‘ 8_‘ 清洗可在硅片表面形成 的氧化硅 洗溶液 在 温度下利用频率为 的 ’ )T M)a !E *T *O 7,b 3+4 SU 钝化膜V*W 观察到 清洗对硅片表面 超声波清洗机清洗 然后用去离子水冲洗 采 *) ’ ’