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2015-10-14 发布于重庆
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WMo合金表面超精密加工的CMP技术研究

显徽、测量、徽缅加工技术与设备 W—Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究江焱，刘玉岭，李成珍 (河北工业大学微电子研究所，天津300130) 摘要：阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W—Mo合金工艺中，在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下，提高W—Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验，确定了抛光液的成分；分析了W～ Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W—Mo合金的影响。实验 MPa，流速160mL／min，转表明，实现W—Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为：压力0．06 速60r／min，pH值10．1～10．3。关键词：钨钼合金；化学机械抛光；去除速率；表面活性荆；表面粗糙度 ofCMP ofW-Mo Study TechnologyAlloy SurfaceUltra。-Precision Machining Yan，Liu Xianzhen Jiang Yuling，Li (InstituteMicroelectronics，Hebei 300130，China) of UniversityofTechnology，Tianjin ofmetalchemicalmechanical was Abstract：Themechanism nano flat andchemicalmechanical inthe discussed．Thescale technology polishingtechnology semiconductor were and tOthe ofW—Mo manufactu“ngprocessexpandedappliedprocess alloys， ofW—Mo was underthe conditionof theremovalrate the alloysimproved prerequisite achieving low-level in material modelof plane，lowroughnessrequirementsprecisephysical process．The inCMP were metalCMPwasdemonstrated．Furthermore，the introducedand problems process alkali solutionwasusedto wereensuredthe polishing implementexperiments，thecomponents by effectsofthe ra