《射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜》.pdf

光 电 子 ·激 光 第 18 卷 第 12 期 　2007 年 12 月 　　　　　 Vol . 18 No . 12 　Dec . 2007 J ou r n a l o f Op t oelect r onics ·L aser 　　　　　　　 ·材料 · 射频磁控溅射生长 C 轴择优取向Al N 压电薄膜 杨保和 , 徐　娜 , 陈希明, 薛玉明, 李化鹏 (天津理工大学 ,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室 ,天津 300191) ( ) ( ) 摘要 :采用射频磁控反应溅射工艺 ,在 Si 400 衬底上制备了高 c 轴取向的AlN 薄膜 。用 X 射线衍射仪 XRD 分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/ N2 比、衬底偏压、工作压强对AlN 薄膜 c 轴择优取向的影响。研究了AlN 薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制 ,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN 薄膜非常容易得到c 轴择优取向的AlN 薄膜 。 ( ) 关键词 :AlN 薄膜; 射频 R. F. ; 择优取向; 氮终止的硅衬底 ( ) 中图分类号:O484 . 1 　　文献标识码 :A 　　文章编号 2007 Preparation of cAxis Oriented Piezoeletric Al N Thin Films by Radio Frequency Magne tron Sputtering Method YAN G Baoheng , XU Na , CHEN Ximing , XU E Yuming , L I Huapeng ( Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices ,Tianjin University of Technology , Tianjin 300191 ,China) ( ) Abstract :Highly caxis oriented piezoelectric AlN film were prepared on singlecrystal Si 400 substrate by radio frequency ( R. F. ) magnetron sputtering technique. The dependences of the caxis oritentation of the AlN films on the negative biase , gas pressure ,gas ratio were