《PCB图形转移(ODF》.ppt

编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，适用于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相关技术人员的培训. 随着图形转移技术的不断革新,部分观点将出现差异,我们应以实际的要求及变化为准. 图形转移的定义： 就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层，在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护的不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉，经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜电路图形。 图形转移工序包括： 内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。  紫外光能量 光引发剂 R’ 单体 聚合物 自由基传递 聚合交联反应 被曝光部分： 菲林透光的区域在紫外光照射下，光引发剂吸收光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结构。 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影液冲掉。 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制） 菲林的质量 曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源所发射出的光谱应与感光材料吸收光谱相匹配，能获得较好的曝光效果。目前干膜的吸收光波长为325-365nm,较短波长的光，曝光后成像图形的边缘整齐清晰。 光能量与光波长关系如下： ε=h r=h c /λ 式中: ε —— 光能量(单位:尔格) h —— 布郎克常数(6.625 ?10-2尔格.秒) r —— 光的频率(单位:秒-1(HZ)） c —— 真空中光速(单位:CM) λ —— 波长(值为:2.289?103cm/S) 散射光、平行光，两者优缺点比较： 在曝光过程中，干膜的聚合反应并非“一引而发”，而是大体经过三个阶段： 曝光时间的确定： 采用Ristor 17格或SST21格曝光尺做曝光显像检查，确定曝光时间。用光密度尺进行曝光时，光密度小的（即较透明的）等级，干膜接受紫外光能量多，聚合较完全，而光密度大的（即透明程度差的）等级，干膜接受的紫外光能量少，不发生聚合反应或聚合不完全，这样选择不同时间进行曝光，可得到不同成像级数，在显影时被显影掉或只剩下一部分。 曝光能量的确定： 严格讲，以时间来计量曝光是不科学的。 曝光光能量公式：E=It 式中： E ---- 总的曝光能量，mj/cm2 I ---- 灯光强度， mw/cm2 t ---- 曝光时间，s 从上述可知,总曝光能量E随灯光强度I和时间t而变化。若t恒定，光强I 发生变化，总曝光能量E也随之改变。而灯光强度随着电源压力的波动及灯的老化而发生变化，于是曝光量发生改变，导致干膜在每次曝光时所接受的总曝光量并不一定相同，即聚合程度亦不相同。为使每次干膜的聚合程度相同应采用曝光能量控制曝光。即采用具有曝光光能量控制的曝光机。 菲林底片