《dc ac逆变器电路图2》.pdf

dc ac 逆变器电路图 这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决 于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制 作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 电路图 工 作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器（见图 3） 这里采用六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻，用于改善由于电 电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1 充放电完成的。其振荡频率 为 f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小 频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。 其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路 这里采用六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻，用于改善由 于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1 充放电完成的。其振 荡频率为 f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10- 6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值 会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这 里用 TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图4 所示。 MOS 场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工 作原理。 图5 MOS 场效应管也被称为 MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使 用的为增强型 MOS 场效应管，其内部结构见图 5。它可分为NPN 型PNP 型。NPN 型通常称为N 沟道型，PNP 型也叫P 沟道型。由图可看出，对于 N 沟道的场效应管其源极和漏极接在 N 型 半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在 P 型半导体上。我们知道一般三 极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称 电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同 时这也是我们称之为场效应管的原因。 图6 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个 P—N 结的二极管的工作 过程。如图 6 所示，我们知道在二极管加上正向电压（P 端接正极，N 端接负极）时，二极 管导通，其PN 结有电流通过。这是因为在P 型半导体端为正电压时，N 型半导体内的负电子 被吸引而涌向加有正电压的P 型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N 型半导体端运 动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P 端接负极，N 端接正极）时，这 时在P 型半导体端为负电压，正电子被聚集在 P 型半导体端，负电子则聚集在 N 型半导体 端，电子不移动，其 PN 结没有电流通过，二极管截止。 图 7a 图7b 对于场效应管（见图 7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不 会