内置天线改外置--不割天线电容旋转法.doc

问题一：改外置时，芯线应接在哪里？1 t% h% \4 Y- d fe, V0 Z9 e: v0 K先拿腾达W150M迷你路由来说事6 f# C??\: `1 g3 p) e- g我的理解可以接芯线的地方有2处，第一处是原内置陶瓷天线处，第二处是官方焊接的地方。注意板上标记为C135的电容实测阻值为0，疑为电感。 ?8 O4 J/ k/ v??S 2012-5-29 00:03 上传 下载附件 (56.24 KB) 7 j2 C7 [+ \7 H3: a; \2 x4 n$ {* G结果如何呢？请原谅我无图无真相，因为当时没有想到会和设想的有差别。 第一次实验：将陶瓷天线去掉，芯线焊在原陶瓷天线下端左边那个焊点上，屏蔽接在原陶瓷天线的上端焊点。 结果：外置5db全向，仅比内置天线信号好一点点，WirelessMon里信号提高1-2。 第二次实验：按照官方W150M+的方式改。 结果：外置5db全向，比内置天线WirelessMon里信号提高12-15。 没想到这个电容电感 2012-5-29 00:14 上传 下载附件 (4.58 KB) 组合在外置天线中居然起到了副作用。 再看一些带SMA接口的网卡，大家也注意观察一下身边的网卡，大概有一半改在了这个电容组合的前面，如Blink的这个 2012-5-29 00:21 上传 下载附件 (8.99 KB) + S1 `! ^1 ?6 Y 还有一半左右是接在这个组合的后面，如 2012-5-29 00:24 上传 下载附件 (68.2 KB) , x* N* ^5 z6 {2 N! l. Y 到底哪个好呢？我拿了一个水星150做个实验 2012-5-29 00:27 上传 下载附件 (112.8 KB) 结果：2种接法，方法2的信号强度在WirelessMon里要高于方法1，大概高5-7左右。再次原谅无图无真相，拍照工作量太大。 % o3 F??S; P* _ 结论一：改外置时，芯线接在电容组合的前后均可，接在电容组合前面的信号好一点（仅供参考）。前文说过，这个电容电感组合是抗干扰的，那么接在前面是不是会影响稳定性呢？这个尚待实验。 j* M w??c% t问题二：能否不暴力破坏原天线？感觉改了不好后能否还原？0 q; X2 I9 J( n8 A# u接下来我又拿出来一个迅捷FW150RM改外置。这个有图有真相。- ~ V- W; |4 t( ^6 A o% t: A迅捷FW150RM有人拆过，也有人改过，可是我改的不一样。0 z$ l# J8 `3 c9 F n- r( A1 v 2012-5-28 16:01 上传 下载附件 (40.73 KB) 0 e [/ m6 R0 a4 R2 x4 @+ w- ?2 F2 b; w9 h常见的改法是下图：: E) o$ I) \4 h- y1 G1 ^ 2012-5-29 00:57 上传 下载附件 (95.5 KB) H. Q Y, u! V. x) G, G割断原内置天线，左边接芯线，右边接屏蔽。??`??r4 o. P. g8 b9 b3 w9 d问题是：1.彻底破坏了原天线，不能恢复。 2.我从改腾达W150M中得出结论，SMA改在最远端效果不怎么好% T??X! W) I$ G: ^9 C) H r1 Z3 Q3 F$ I4 B0 \9 X再仔细看，上图黄圈里的白色元件是什么（标记J1）？电容是灰的，电阻是黑的，没见过白的。我焊下一看是个0欧的电阻，标记在反面，反面是黑的，它仅仅起到联通作用。旁边还有一个接地焊点，这个焊点是干什么用呢？要知道PCB上每一个位置应该都有它的意义。把这个0欧电阻旋转90度，正好可以达到断开原天线的目的，又不破坏原内置天线，以后万一还可以完整复原。% v: q- l- o5 w1 A我的接法如下图：9 r# j2 B+ B2 n$ { 2012-5-28 16:01 上传 下载附件 (49.22 KB) , m* v??M, N4 A- i4 @5 ~8 R8 f4 Q经测试5db外置，同一信号从改前的-72提升到-55，接14DB平板效果更加明显。( n2 j4 U5 L0 t( r) T/ t/ S- C注意，我第一次焊好后发现芯线和屏蔽万用表联通，以为焊的不好。后来排查是由于左上方有个L2电感联通芯线与屏蔽，对高频信号无影响。实际经过平板天线检测，此接法是正确的。还有一个好处是以后万一要启用内置天线非常方便。; U1 p: z* G1 u: O; J# M2 w9 T* T结论二：不割原天线，利用旋转电容来断开原天线，创伤最小，效果更好，复原无压力。3 D+ A9 u5 q3 B+ F7 K* g( ]: F- Z6 A- ???U( V我把很多网卡的