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微电子制造概论 复习提纲 题目类型 1：名词解释（英文缩写翻译，解释）（每题4分，5题，共20分） 2：填空（每空2分，10空，共20分） 3：简答（每题5~10分，5题，共45分） 4：分析计算（每题15分，1题，共15分） 每章主要知识点 1、半导体原理 2、半导体器件原理 3、半导体设计基础 4、半导体制造基础 5、芯片互联和封装技术 6、无源元件制造技术 7、PCB设计和制造技术 8、SMT技术基础 1、半导体物理基础 1.1 半导体的能带理论（分析导体、绝缘体、半导体的区别） 1.2 半导体的载流子（种类、特点） 1.3 本征半导体和本征激发 1.4 杂质半导体的种类，p型和n型半导体的类型区别，主要掺入杂质的种类，多数载流子和少数载流子，施主杂质和受主杂质，补偿效应 1、半导体物理基础 1.5 载流子迁移（漂移）运动和扩散运动 1.6 载流子浓度，费米能级的意义 1.7 非平衡载流子：热平衡和非热平衡的区别，非平衡载流子载流子的特点，载流子的复合（种类，寿命，复合中心） 2、半导体器件原理 2.1 pn结：pn结的形成，内电场，空间电荷区，pn结的电流电压特性，击穿的种类和原因； 2.2 双极型晶体管（三极管）：种类（pnp、npn），结构，分析其能够产生电流放大的条件，分析其开关特性的条件和原因 2.3 场效应管晶体管（MOS管）：场效应的原理，MOS管的结构，增强型和耗尽型、n沟道和p沟道--不同MOS管的工作开启电压条件 2.4 CMOS管的结构 3、半导体设计基础 3.1 逻辑电路基础：基本逻辑运算（与，或，非，与非，或非）的运算法则、真值表、逻辑图（符号）、逻辑表达式、时序图，简单逻辑电路 3.2 CMOS门电路：非电路，与非电路，或非电路，其他的逻辑电路转换为上面的三种电路的组合 3、半导体设计基础 3.3 集成电路的设计流程 3.4 集成电路的版图设计： 3.4.1 什么是关键尺寸（CD）？ 3.4.2 什么是基于“λ”的设计准则？ 3.4.3 什么是按比例缩小原则？有什么用？ 3.4.4 什么是摩尔定律？有什么用？ 3.5 集成电路的系统设计： 3.5.1 设计方法有哪些？ 3.5.2 什么是ASIC？PAL？GAL？FPGA？ 4、半导体制造基础 4.1 半导体级别硅的生产工艺 4.2 单晶硅锭的生长工艺 4.2.1 CZ拉伸法：原理，拉伸设备的结构 4.2.2 悬浮区熔法：原理，设备结构 4.2.3 两种方法的优缺点 4.3 晶圆（wafer，硅圆片）的制造工艺 4.4 洁净室的分类标准 4、半导体制造基础 4.5、氧化工艺：氧化工艺的种类（优缺点），适用于哪些应用； 4.6、化学气相淀积（CVD）：定义、种类 4.6.1 外延：定义，外延的方法，外延的应用 4.6.2 氮化硅：作用，主要工艺 4.6.3 多晶硅：作用，主要工艺 4.7、金属化： 4.7.1 金属化的主要作用，材料 4.7.2 金属化工艺：蒸发、溅射：原理，应用 4、半导体制造基础 4.8、光刻 4.8.1 光刻胶的种类，优缺点，应用范围 4.8.2 光刻工艺的主要步骤：成底模--涂胶--前烘--对准和曝光--后烘--显影--硬烘--检查，每步骤的主要目的 4.8.3曝光光源种类，涂胶主要工艺，分辨率定义等 4.9、蚀刻 4.9.1 蚀刻的种类 4.9.2 湿法刻蚀的特点，缺点 4.9.3 干法刻蚀的特点，优点，缺点，种类 4、半导体制造基础 4.10、杂质注入 4.10.1 扩散：原理、主要流程 4.10.2 离子注入：原理，设备，特点 4.11、CMP：化学机械抛光的原理 4.12、CMOS集成电路的制作过程 5、芯片互联和封装技术 5.1 引线键合技术：WireBonding（WB） 5.1.1、引线键合的定义 5.1.2、引线键合的方式 5.1.3、引线键合工艺的种类 5.1.4、引线的材料 5.2 载带自动焊技术：Tape Automated Bonding（TAB） 5.2.1、定义 5.2.2、与WB相比的优点 5.3、倒装焊技术：Flip Chip（FC） 5.3.1 定义 5.3.2 特点 5、芯片互联和封装技术 5.4 、封装的种类 5.4.1 塑料封装和陶瓷封装的特点 5.4.2 插装封装：SIP，DIP，PGA等 5.4.2 贴装封装：SOP，SOJ，QFP，BGA 6、无源元件制造技术 6.1、无源元件的定义、种类 6.2、薄膜成膜技术 6.2.1、真空蒸发技术：原理，应用范围 6.2.2、溅射技术：原理，应用范围 6.2.3、膜厚监控技术：种类 6.3、厚膜技术： 6.3.1、厚膜浆料的成分和其作用 6.3.2、厚膜工艺：印制（种类）烧结 6.3.3、厚膜厚度的测试：方阻（定义，测试方法） 6.