水电气系统配备.ppt

水电气系统配备张军 课程主要教学内容： 工厂供配电及安全知识 工厂供水、去离子水制备与使用 工厂压缩气、氮气制备系统 恒温与洁净厂房设计与使用 工厂制冷与加热系统及使用 多晶硅纯水系统A 在此处添加您的选择信息 在左侧添加文本、图形或照片 多晶硅纯水处理系统B 在此处添加您的选择信息: 姓名 电子邮件地址 占据 经常使用的词汇 在右侧添加图形或照片 第二章 多晶硅电力供电系统特点 工艺要求各种等级“洁净室”及温湿度24小时连续不断。 “三废”处理、各种酸、碱及有机溶剂和有毒气体排放不容许出现任何停顿。 各种工艺设备和检测仪器分、秒停电会造成巨大经济损失。除计划停电，绝不能有停电事故。： 供电系统特殊要求：1）配制双回路以上供电系统；2）对供电网络接地系统、抗电磁干扰防护进行电网的谐波治理；3）配置应急电源供电系统：自备紧急发电机组、UPS不间断电源。与城市的电力供应系统配合使用，能保证安全、稳定、可靠的电来共给。 特殊保证电力工备系统示意图 第一章 超纯水制备系统 高纯水应用：在多晶硅制备中，对硅芯、硅棒的后处理以及成品包装前都要用水清洗，还需要用水对还原炉等重要设备进行冷却。这些都要使用无金属杂质离子的“超纯水”（去离子水） 制备水源：城市自来水或地下水-进行纯化等处理使其达到工艺规定的纯度要求。 2.1多晶硅产业对纯水的技术要求 由常用自来水水质理化分析可知无法满足需要。 半导体高纯清洗水技术要求详细见表格7-3 其中总有机碳含量（TOC）会引起薄栅氧化中的缺陷密度增加。 溶解氧含量（DO）会影响硅表面自然氧化膜质量而使硅器件特性恶化。 电阻率与电导率互为倒数。是纯水纯度的主要指标参数。 2.2纯水的制备 纯水净化主要方式： 反渗透（RO）、电渗去离子（EDI）、微过滤（MF）、紫外线杀菌(UV)、超净过滤（UF） 超高纯水制备三阶段： 1）前级处理 2）预处理 3）水抛光循环处理 2.2.1前级处理 自来水或地下水-添加化学试剂-次氯酸钠，氧化、絮凝有机物和固体颗粒，降低原水中浑浊度和污染指数。 经多层介质过滤器（纯化模组-滤孔小于10μm)-再添加适当化学试剂去除水中余氯。 进入软化处理系统除去水的硬度（钙镁离子） 在水中加入适量防垢剂。 该系统主要设备有：原水槽、原水泵、化学试剂添加系统 、多层介质过滤器、软化处理系统等 2.2.2预处理系统 反渗透(Reverse Osmosis):先经滤孔小于5μm过滤-紫外线杀菌-高压泵-两级并联RO膜，脱盐及有机物 电渗去离子(Electro deionization):经除总有机碳含量（TOC）系统-进入（EDI）系统-存入纯水箱（其电阻率可达16MΩ．cm,电导率为0.0625μs/cm) 超纯水分配使用：纯水箱-一路经高压泵增压-滤孔0.2μm精过滤器-低要求用水点；另一路经纯水泵-真空脱气装置-紫外线杀菌-不可再生精混床-精过滤器-纯水槽。 主要设备：纯水泵、纯水槽、热交换器、真空脱气、紫外线杀菌装置、混床、精过滤器等。 2.2.3水的抛光循环处理 对要求更高水质要求的水：由纯水箱经纯水泵送入抛光系统循环处理。 系统由TOC去除、脱气膜装置、混床抛光装置、紫外线杀菌、微滤器0.2μm、超滤器0.1μm后，超高纯水被送各用水点。 重点用波长为185nm紫外线杀菌装置（UV）分解残留有机物，在经过混床（阴阳离子）交换树脂处理后 ，水的电阻率可达18.2MΩ．cm,电导率为0.0549μs/cm，经超净过滤滤孔小于0.1μm，除细菌及微粒子，达超高纯水。 系统主要设备：纯水泵、最终混床抛光装置、超纯水缓冲罐及循环管路系统等 2.2.4高纯水管路系统及特殊材料 预处理前采用:PVC UPVC PP C-PVC 等聚氯乙烯、聚丙烯等高分子材料。 在抛光循环部分及其后采用：PVDF PEEK PFA等含氟高分子材料（或塑料王-聚四氟乙烯TEFLON)。以避免超高纯水污染。 为防止微生物产生，确保水质稳定，超纯水管路设计均采用双回路输送系统。 超高纯水送各用水处，未用完的要用回收水管经TOC去除-0.1 μm微滤器-纯水缓冲罐内精制循环使用。 2.3高纯水再生利用及改进 2.3.1循环回收利用（要求回收率70%以上） 反渗透排放的浓盐水； 混床的淋洗水； 超净过滤的淋洗、反冲水； 真空脱气装置的冷却水； 多层过滤淋洗水； 清洗工艺过程中的最后几次淋洗水； 冷却塔的排放水。 2.3.2开源节流改进措施 增加反渗透膜的采水率 减少多层过滤器、混床、超滤的淋洗用水量 其他方面节水：如减少工业卫生用水等。 作业： 1、衡量纯净水的主要质量指标参数有哪两个，其相互为什么关系？ 2、超高纯水制备有哪三个阶段，各有哪些内容？ 3、管路系统设计和材料选择有哪些要点？ 第三章高