模拟电子技术及应用 作者 李继凯 第3章 场效应管及其放大电路.ppt

第3章 场效应管及其放大电路;在线教务辅导网：;3.1 场效应管;符号; （1） 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用; （2） 对导电沟道宽度及漏极电流 的影响;vGD＝VP;VGS;（2）转移特性; ;3.1.2 绝缘栅场效应管;1．N沟道增强型MOS管;（1）工作原理 ; ② 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用;刚出现夹断;（2）特性曲线和电流方程; 耗尽型MOS管在 vGS＞0、 vGS ＜0、 vGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在vGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。;3．P沟道MOS管;3.1.3 场效应管的主要参数;（4）直流输入电阻 ;3．极限参数;3.1.4 场效应管与晶体三极管的比较;（4）场效应管的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。 ??5）场效应管比晶体管的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅源电压可正、可负、可为零，均能控制漏极电流。因而在组成放大电路时比晶体管有更大的灵活性。 （6）场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，它们均可构成品种繁多的集成电路。但由于场效应管集成工艺更简单，且具有功耗小、工作电源电压范围宽等优点，因此更加广泛地应用于大规模和超大规模集成电路之中。;3.2 场效应管放大电路;2．分压式偏置电路;3.2.2 场效应管放大电路的动态分析;对结型管：;2．共源极放大电路的动态分析;例3.2.1 在如图所示电路中，已知VDD=15V，Rg1=150kΩ，Rg2=300kΩ， Rg3=1MΩ， Rd= RL=5kΩ，Rs=0.5kΩ，MOS管的VT=2V， IDO=2mA 。 试求解：;联立以上三式求解可得：;3．共漏极放大电路的动态分析;第3章 作业