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学院毕业设计（论文）书写式样 一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 三、摘要 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗， 英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。 四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。 五、图表：图表内容五号宋体。 六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。 七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。 八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4纸单面打印。 九、毕业设计（论文）的装订、归档 ⑴ 毕业设计（论文）的装订顺序为：①封面；（请到教务处网站下载学校统一封面）②中文题目、摘要、关健词；③英文题目、摘要、关健词；④目录；⑤正文；⑥参考文献；⑦致谢。 ⑵毕业设计（论文）的资料归档内容为：①已装订成册的毕业设计（论文）文本；②毕业设计（论文）过程管理手册；③学生参加生产实习的日记，实习技术报告，实习单位的鉴定、评价意见等材料；④学生毕业设计（论文）收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计（论文）的资料袋中；毕业设计（论文）的资料袋由教务处统一发放。（资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然后贴在资料袋上）。 具体书写式样如下： 1、理科目录式样 目 录 摘要　………………………………………………………………………………………1 Abstract ……………………………………………………………………………………2 第1章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………………………1 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………………………1 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………1 1.1.2 III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………3 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 …………………………………………4 1. 3 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………………12 1. 4 氮化物材料的制备 …………………………………………………………13 1. 5 氮化物器件 ……………………………………………………………… 19 1. 7 本论文工作的内容与安排 ……………………………………………… 24 第2章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 …………………………………………31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 …………………………………………32 结论 ……………………………………………………………………………………… 136 参考文献（References）……………………………………………………………………138 致谢 ……………………………………………………………………………………… 150 2、文科目录式样 目 录 摘要　………………………………………………………………………………………1 Abstract ……………………………………………………………………………………2 一、GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………………………1 （一） III族氮化物材料及其器件的进展与应用 ………………………………………1 1. III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………1 2. III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………3 （二） III族氮化物的基本结构和性质 …………………………………………4 （三） 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………………12 （四） 氮化物材料的制备 …………………………………………………………13 （五） 氮化物器件 ……………………………………………………………… 19 （六） 本论文工作的内容与安排 ……………………………………………… 24 二、 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 …………………………………………31 （一）本论文氮化物生长所用的MOCVD设