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第3章 场效应管放大器 学习目标 1．了解场效应管电压放大作用和主要参数 2．了解场效晶体管放大器的特点及应用 3.1 概述 场效应管也是进行电信号放大的器件，场效应管（英文为Field Effect Transistor，简写成FET）是利用输入回路产生的电场来控制输出回路的电流的一种半导体器件。它是通过改变输入电压来控制输出电流，是电压控制器件。 表3-2 场效应管的种类和符号 表3-3 结型N沟道场效应管的输入输出特性说明 边学边练 3.3 绝缘栅型场效应管 3.4 场效应管恒流状态下的电压特性 3.5 场效应管的应用 本章回顾 电子技术基础与技能 （电子信息类） 3.2 结型场效应管 ? 3.1 概述 ? 3.3 绝缘栅型场效应管 ? 3.4 场效应管放大状态下的电压特性 ? 表3-1 场效应管的外形和管脚 所有场效应管有三根引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极） 说明 N沟道结型场效应管 的引脚 几种塑封场效应管的外形图 场效应管的外形与三极管的相似。功率大的场效应管是铁壳的或者是可带散热片的。 场效应管与水龙头控制关系比较示意图 图3-1 场效应管控制示意图 图3-1所示为场效应管的控制作用示意图。其功能可类比为由水龙头的开关G端控制水龙头的打开程度，从而控制从进水管D流入出水口S的水流的大小。当然，如果进水管内没水，即使开关完全打开，出水口也不会有水流出，即出水量的大小跟进水管的水量也有关系。 （a）电流控制放大器 （b）电压控制放大器 图3-2 控制放大对象 三极管是电流控制器件，用基极电流iB控制集电极电流iC的大小。 场效应管是利用栅极和源极之间的电压（即uGS）的大小来控制漏极电流iD的器件。 耗尽型 增强型 P沟道 耗尽型 增强型 N沟道 绝缘栅型场效应管 P沟道 1.N沟道场效应管箭头朝向场效应管内部；P沟道场效应管箭头朝外。 2.场效应管的栅级不取电流，即iG=0，输入阻抗近似无穷大，特别适用于要求高输入阻抗的电路。 3.绝缘栅型场效应管的B引脚是衬底。衬底B通常与源极S相连，有些型号的管子衬底在管内与源极S相连。衬底B也可以与地相连。 N沟道 结型场效应管 说明 符号 场效应管的分类 3.2 结型场效应管 1. 结型场效应管的特性 结型场效应管（表示为JFET）有N沟道和P沟道两种类型。要产生iD，前题是uDS≠0。然后由uDS将与uGS一起来控制导电沟道的宽窄。 2．恒流区iD与栅源电压uGS的关系 当结型N沟道场效应管工作在恒流区时，iD由uGS决定。在恒流区，随着uGS的上升，电流iD也越来越大。 表3-4 结型N沟道场效应管电压与电流关系 iD突然上升 uGS≤0V，uDS超过允许范围 击穿 击穿区 iD=0 uGS≤0V，uGS ≤UGS（off） 截止 夹断区 UGS（off） uGS≤0V， uDSuGS-UGS（off) 放大 恒流区 ，RDS与uGS有关 uGS≤0V，uDSuGS-UGS（off） 饱和 可变电阻区 iD 结型N沟道场效应管 的工作条件（uDS0） 对应三极 管的状态 场效应管的状态 【例】在图3-3所示电路中，已知场效应管的uGS（off）= -5V；问在下列三种情况，场效应管分别工作在那个区？ 图3-3 场效应管工作状态判断 （1）uGS=-8V，uDS=4V （2）uGS=-3V，uDS= 4V （3）uGS=-3V，uDS=1V 解：(1)因为uGS= -8VuGS（off）=-5V 管子工作在夹断区。 (2) 因为uGS= - 3V uGS（off）， 同时uGS 0且uDG= uDS - uGS =4 -（- 3）= 7 V | uGS（off）|， 管子工作在恒流区。 (3)因为uGS= - 3V uGS（off），同时uGS 0且uDG= uDS - uGS =1 -（- 3） = 4 V | uGS（off）|管子工作在可变电阻区。 表3-5 结型场效应管管脚的识别方法 1．绝缘栅型场效应管的种类 绝缘栅型场效应管因栅极采用金属铝，故又称为MOS管。 MOS管可分为N沟道和P沟道，每一类又分为增强型和耗尽型两种。 2．绝缘栅型场效应管使用注意事项 MOS场效应管由于输入阻抗高，极易被静电击穿，虽然有些场效应管会采用一些特别的保护措施，但通常使用时应注意以下规则： （1）MOS器件出厂时通常装在黑色的导电防静