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《模拟电子技术基础》习题及参考答案 填空题： 半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。 半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。 PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。 PN结最重要的特性是，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是区。通常静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入区或区，而使输出信号的波形产生失真。测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的）极、）极、极。））Ω负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈。 负反馈使放大电路增益下降，但它可以扩展通频带，减少失真。 负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是， 相位平衡条件是△фAF=±（2n+1）π 其中n=整数。 反馈系数F= Xf/Xo；反馈深度是1+AF。 在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为 20mV，共模输入电压为10mV。 差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。 衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是共模抑制比（KCMR） B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素 4. PN结加正向电压时，其正向电流是由（ A ）的。 A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成 C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者正偏 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为UBQ= -3.3V， UCQ= -6V，UEQ= -3.1V，则这只三极管是( D )。 NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型硅管 D．PNP型锗管 7. 测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V，VB=-0.6V，,该三极管工作 状态为( B )。 A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 8. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V, 则这只三极管是（ B ）。 A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管 9. 共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是( C )。 A.电压放大倍数小于1，输入电阻小、输出电阻大 B.电压放大倍数大于1，输入电阻小、输出电阻大 C.电压放大倍数小于1，输入电阻大、输出电阻小 D.电压放大倍数大于1，输入电阻大、输出电阻小 10. 图示放大电路中， T1、T2分别是( B )接法。 A．共集-共基 B．共射-共集 C．共射-共基 D．共集-共射 11． 设硅稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V， 可求出图中电路的输出电压Uo为( C )。 4.3V B． 8V C． 5V D． 0.7V 12. 硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作在（ B ）状态。 A. 正向导通状态 B. 反向电击穿状态 C. 反向截止状态 D. 反向热击穿状态 场效应管实质上是一个( C )。 电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件 电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件 为稳定输出电压、增大输入电阻，应引入( A )负反馈。 A.电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联 如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入( D )。 电流并联负反馈 B．电压并联负反馈 B.电流串联负反馈 D．电压串联负反馈 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ B ）。 输入信号所包含的干扰和噪声 B．反馈环内所包含的干扰和噪声 C．反馈环外所包含的干扰和噪声 D．输入信号中的干扰和噪声 负反馈放大电路产生自激振