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功率器件封装工艺流程 主要内容 主要内容介绍 一、功率器件后封装工艺流程 二、产品参数一致性和可靠性的保证 三、产品性价比 四、今后的发展 功率器件后封装工艺流程 功率器件后封装工艺流程 ——划片 功率器件后封装工艺流程 ——粘片 我公司粘片的特点 1、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固，一致性好。 2、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的热学和电学特性。 3、芯片与框架的热匹配性良好，芯片和框架之间的应力达到最小，热阻小，散热性好。 4、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。 功率器件后封装工艺流程-压焊 压焊的特点 1、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度、高度最佳，可靠性高。 2、根据管芯的实际工作电流选择引线直径规格，保证了良好的电流特性 。 功率器件后封装工艺流程-塑封 塑封的特点 功率器件后封装工艺流程 ——塑封车间 功率器件后封装工艺流程 功率器件后封装工艺流程-电镀切筋 功率器件后封装工艺流程 ——切筋 功率器件后封装工艺流程-老化 功率器件后封装工艺流程 功率器件后封装工艺流程 ——测试设备 功率器件后封装工艺流程 ——包装 产品一致性和可靠性 1、产品的一致性 a.芯片生产工艺控制 b.通过细分类进行控制 2、产品可靠性 a.优化芯片生产工艺提高可靠性 b.封装工艺的严格要求 产品参数一致性的保证 高精度的测试系统 1、最高测试电压为1000V，最大电流20A，漏电流最高精度达到pA级，电压测试精度达到2mV 2、可测试的半导体器件有双极晶体管，MOS管，二极管等多种器件。 3、对于双极晶体管，可测试hFE、Vcesat、Vbesat、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icer、Icex、Icbr、Icbs、BVcbo、Iceo等参数 提高产品可靠性 －封装工艺的严格控制 一、降低热阻 二、控制“虚焊” 三、增强塑封气密性 功率器件的重要参数－热阻 降低器件发热量的三个途径 一、通过优化电路，避免开关器件进入放大区，减小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的热阻，即提高器件的散热能力。 三、提高器件的电流性能，降低饱和压降 。 在电路和芯片都已固定的情况下，避免器件发热失效重要的途径就是降低器件的热阻 。 功率器件的重要参数－热阻 一、热阻的定义 热阻(Rth)是表征晶体管工作时所产生的热量向外界散发的能力，单位为℃/W，即是当管子消耗掉1W时器件温度升高的度数。 RTH总＝ RT1+ RT2+ RT3 功率器件的重要参数－热阻 二、晶体管热阻的组成 热阻的工艺控制 我们工艺控制过程中，最重要的是解决接触热阻。主要的控制手段： 1、粘片工艺对接触热阻的控制。 2、高效的测试手段进行筛选 。 热阻的工艺控制 —粘片工艺 热阻的工艺控制 —测试筛选 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化△T有近似线性的关系： △Vbe＝k△T 对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： Rth＝△T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选，我们用的是日本TESEC的△Vbe测试仪 。 热阻测试筛选设备的优点 △Vbe测试仪的性能参数及优点： 测试精度：0.1mV 脉冲时间精确度：1us 最高电压：200V 最大电流：20A 优点： 1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高 热阻测试筛选设备的优点 我公司产品的热阻特点 通过测量△Vbe，再经过公式 Rth＝ △Vbe /KP 我公司典型产品值： 控制“虚焊” —造成虚焊的因素与对策措施 控制“虚焊”的措施 塑封气密性的工艺控制 产品性价比 1、材料的选用 2、先进的工艺制程 3、严格的生产过程控制 材料的选用 先进的工艺制程 产品的特点 今后发展 后封装扩建搬迁项目 绿色环保塑封料 谢谢！ 优点