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任务课题 概 述； 任务一：技能目标 ◆基本放大电路。 ◆多级放大电路。 ◆放大电路中的负反馈。 ◆场效应晶体管基本知识 。 教学内容 教学内容 概 述 课题导入 传声器的应用→无线传声器→调频无线传声器→调频无线传声器的组成→低频放大电路。 新知识讲解 【传声器】 将声音信号转换为电信号的能量转换器件，也称话筒麦克风微音器。传声器的好将接影响声音的质量按换能原理为电动式（动圈式、铝带式）电容式（直流极化式）、压电式（晶体式、陶瓷式）、以及电磁式、碳粒式、半导体式等。按声场作用力分为压强式、压差式、组合式、线列式等。按电信号的传输方式分为有线、无线。按用途分为测量话筒、人声话筒、乐器话筒、录音话筒等。按指向性分为心型、锐心型、超心型、双向（8字型）、无指向（全向型）。此外还有驻极体和最近新兴的硅微传声器、液体传声器和激光传声器。动圈传声器音质较好，但体积庞大。驻极体传声器体积小巧，成本低廉，在电话、手机等设备中广泛使用。硅微麦克风体积更小，特别适合高性价比的麦克风阵列应用。激光传声器在窃听中使用。无线传声器实际上是一种小型的扩声系统它体积小、使用方便、音质良好，话筒与扩音机间无线，移动自如，且发射功率小，因此在教室、舞台、电视摄制方面得到了广泛的应用。无线传声器无线传声器由组成。2-2所示。 教学内容 教学内容 任务一：低频小信号放大电路的实现与测试 【相关知识一】 晶体管基本知识 课题导入 问题： 1、收音机接收到的信号是怎样推动扬声器发声的？ 2、放大电路的核心元件是什么？ 新知识讲解 一、晶体管的结构和分类 【分类】 按所用半导体材料可分为硅管和锗管； 按用途可分为放大管和开关管； 按工作频率可分为低频管和高频管； 按功率大小可分为小功率管、中功率管、大功率管； 按结构可分为NPN型和PNP需要注意NPN型和PNP型晶体管符号的箭头方向不同，它表示发射结加正向偏置时的电流方向。晶体管并不是两个二极管的简单组合，不能用两个二极管来代替一个晶体管。一般情况下，晶体管的发射极和集电极也不能互换使用。二、晶体管的电流放大作用 各极的电流分配关系发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。即IE = IB + IC 【电流放大作用发射结正偏，集电结反偏是晶体管具有电流放大作用的外部条件。IC = β△IB 【说明】 1、晶体管是一种电流控制器件电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化。晶体管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供的，并不是晶体管自身生成的，放大的实质是小信号对大信号的控制作用。形状与二极管的正向特性曲线类似UBE约为0.7V，锗管UBE约为0.3V。 【输出特性曲线】 是指晶体管的基极电流IB一定时，集电极电流iC与集、射极间电压uCE间的关系曲线。 （1）放大区是指曲线的平坦区域恒流特性B增加时C成比例地增加，体现了B变化控制C变化的电流放大作用使晶体管工作在放大区的条件是：发射结正偏，集电结反偏。此时，发射结压降硅管为0.6～0.7V，锗管0.2～0.3VVC＞VB＞VE饱和区是指图2-的左边iB ＞0，uCE0.3V的区域。 iC不受iB控制，失去放大作用。饱和时晶体管集电极和发射极之间的压降称为饱和压降UCES，硅管的UCES一般是0.3～0.4V。使晶体管工作在饱和状态时的条件是：发射结正偏，集电结也正偏。此时，对于NPN型晶体管，集电极与发射极之间如同一个开关处于闭合状态，相当于短路。 （3）截止区 是指图2-中iB =0曲线以下的区域。此时晶体管没有放大作用。使晶体管工作在截止区的条件是：发射结反偏，集电结反偏。对于NPN型晶体管，VC＞VE＞VB，集电极与发射极之间如同一个开关处于断开状态，相当于开路。 模拟电子管工作在放大状态，以利用iB对iC的控制作用数字电子在饱和与截止两状态这时的管相当于一个受控的开关。β】 电流放大系数是表征晶体管放大能力的参数。温度升高，β值增大，反映在输出特性曲线上就是各条曲线的间距增大。 极间反向电流极间反向电流是由少数载流子形成的，其大小表征了管子的温度特性。（1）ICBO指发射极开路时，集电极和基极之间的反向饱和电流。ICBO越小越好，温度升高，ICBO增加。一般硅管热稳定性比锗管好。 （2）ICEO指基极开路时，集电极和发射极之间的反向饱和电流，又称为穿透电流。ICEO=(1+β) ICBO 极限参数它是表征晶体管能安全工作的参数。 （1）集电极最大允许电流ICM是指当β下降到正常β值的2/3时所对应的C值。当C超过这个值时，β值会明显下降，若长时间工作，可导致晶体管损坏。 （2）反向击穿电压 U(BR)CBO 发射极开路时，集电极基极之间允许施加的最高反向电压，