《三极管开关电路图原理及设计详解》.pdf

三极管开关电路图原理及设计详解 晶体管开关电路（工作在饱和态）在现代电路设计应用中屡见不鲜，经典的74LS，74ALS 等 集成电路内部都使用了晶体管开关电路，只是驱动能力一般而已。 TTL 晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路；按晶体管连接方 式分为发射极接地（PNP 晶体管发射极接电源）和射级跟随开关电路。 1. 发射极接地开关电路 1.1 NPN 型和PNP 型基本开关原理图： 上面的基本电路离实际设计电路还有些距离：由于晶体管基极电荷存储积累效应使 晶体管从导通到断开有一个过渡过程（当晶体管断开时，由于R1 的存在，减慢了基极电荷 的释放，所以Ic 不会马上变为零）。也就是说发射极接地型开关电路存在关断时间，不能直 接应用于中高频开关。 1.2 实用的NPN 型和PNP 型开关原理图1 （添加加速电容）： 解释：当晶体管突然导通（IN 信号突然发生跳变），C1 瞬间短路，为三极管快速提供基极电 流，这样加速了晶体管的导通。当晶体管突然关断（IN 信号突然发生跳变），C1 也瞬间导通， 为卸放基极电荷提供一条低阻通道，这样加速了晶体管的关断。C 通常取值几十到几百皮法。 电路中R2 是为了保证没有IN 输入高电平时三极管保持关断状态；R4 是为了保证没有IN 输 入低电平时三极管保持关断状态。R1 和R3 是基极电流限流用。 1.3 实用的NPN 型开关原理图2 （消特基二极管钳位）： 解释：由于消特基二极管Vf 为0.2 至0.4V 比Vbe 小，所以当晶体管导通后大部分的基极电 流是从二极管然后通过三极管到地的，这样流到三极管基极的电流就很小，积累起来的电荷 也少，当晶体管关断（IN 信号突然发生跳变）时需要卸放的电荷少，关断自然就快。 1.4 实际电路设计 在实际电路设计中需要考虑三极管Vceo,Vcbo 等满足耐压，三极管满足集电极功耗；通 过负载电流和hfe （取三极管最小hfe 来计算）计算基极电阻（要为基极电流留0.5 至1 倍 的余量）。注意消特基二极管反向耐压。 三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。严格说起来，三极管与一 般的机械接点式开关在动作上并不完全相同，但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。 图1 所示，即为三极管电子开关的基本电路图。 由下图可知，负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回 路上， 图1 基本的三极管开关 输入电压Vin 则控制三极管开关的开启(open) 与闭合 (closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便 被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流 通。详细的说，当Vin 为低电压时，由于基极没有电流， 因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没 有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理，当Vin 为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此 负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃胜作于饱和区(saturation)。838 电子 一、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言，其基射极接面之正向偏压值约为0.6 伏特，因此欲使三极管截止， Vin 必须低于0.6 伏特，以使三极管的基极电流为零。通常在设计时，为了可以更确定三极 管必处于截止状态起见，往往使Vin 值低于 0.3 伏特。 (838 电子资源)当然输入电压愈接 近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上，则三极管的集电 极与射极必须短路，就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin 达到够高的准位， 以驱动三极管使其进入饱和工作区工作，三极管呈饱和状态时，集电极电流相当大，几乎使 得整个电源电压Vcc 均跨在负载电阻上，如此则VcE 便接近于0，而使三极管的集电极和射 极几乎呈短路。在理想状况下，根据奥姆定律三极管呈饱和时，其集电极电流应该为﹕ 因此，基极电流最少应为：