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摘 要
的最有前景的薄膜太阳电池之一。目前其最高效率已经达到18．8％。它
一种多晶化合物异质结，由于其晶体组成多，晶粒结构比较复杂，其
工艺重复性一直是当前面临的重大课题。特别是作为吸收层的
Cu(In，Ga)Se，材料，它的制备受到各种工艺参数的影响。
本论文是在大量实验的基础上，通过分析“三步工艺法”所存在
的问题，并结合电池内部反应机理，成功的解决了Ga的掺入问题。并
在此基础上，通过对衬底温度、se化蒸发条件等关键工艺参量进行分
的最终解决做出了探索性研究。
、／ 、／ 、／
Ga的掺入衬底瘟度Se化案件工艺重复性
关键词：Cu(In，Ga)Se。2
Abstract
Duetoits and conversion
prominentstabilityhign efficiency,
is
solarcell asoneofthe favorable
Cu(In，Ga)SeE／CdS recognized most
developing conversion hasreached18．8％andis
prosperity．Its efficiency
to solar
ready cellisa chemical
industrialization．Cu(In，Ga)Se2polycrystal
heterojunction．Itsisa
compound reproducibilitymagnitude
problem，es—
its
for absorberwhichfabricationisaffected
pecially layer by
manyprocess
parameters．
Thisthesisisfinishedonalotof the
basing experiments．We
analyzed
andsucceededin the ofGa．
problemin”three—step”technology
solvingdope
Different and are to
conditioncontrasted
underlay selenylation
temperature
the inchemicalcombinateelements
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