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《CMOS全差分超宽带低噪声放大器》.pdf
第28卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vo1.28.NO.4
2008年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec.,2008
CMOS全差分超宽带低噪声放大器
鲠
罗志勇“李 巍 李 宁 杨 光 任俊彦
(复旦大学专用集成 电路与系统国家重点实验室,上海 ,201203)
2007—09—24收稿 ,2008—02一i7收改稿
摘要 :文 中给 出了一个应用于超宽带射频接收机 中的全集成低噪声放大器 ,该低噪声放大器采用 了电阻并联
负反馈与源极退化电感技术的结合 ,为全差分结构,在Jazz0.18/zmRFCMOS工艺下实现 ,芯片面积为1.08rrtm ,
射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表 明,在 1.8V 电源 电压下,该LNA 的工作频带为3.1~4.7GHz,功
耗为 14.9mw ,噪声系数 (ⅣF)为 1.91~3.24dB,输入三阶交调量 ( P3)为一8dBm。
关键词 :互补金属氧化物半导体 ;超宽带 ;低噪声放大器
中图分类号 :TN722.4 文献标识码 :A 文章编号:1000—3819(2008)04—554—05
A DifferentialUW B CM OSLow NoiseAmplifier
IUO Zhiyong LIWei LINing YANG Guang REN Junyan
(ASICSystem StateKeyLaboratory,FudanUniversity,Shanghai,201203,CHN)
Abstract:A differentialultra—wideband CM OSlOW noiseamplifierthatcombinesinductive
source degeneration and resistive shunt—feedback is presented. Prototype fabricated in Jazz
0.18 m RF CMOSprocessachievesamaximum powergainof15.5dB,anoisefigureof1.91dB
to3.24dBwithinthe3dBbandwidthof3.1~ 4.7GHz,aninputIP3of一8dBm andanHBM ESD
hardnessOf1.4kV ,whiledrawing8.3mA from a1.8V supply.
Keywords:CMoS;ultra-wideband (UW B);low noiseamplifier (LNA)
EEACC:122O,2570D
大器 (INA)。
— 一 在 UWB接收机中,LNA 处于最前级,其噪声
I=I
系数对 系统 的噪声 特 性 有 直 接 的影 响。MB—
超宽带 (UWB)系统是一种低功耗、高速率的无 OFDM 标准规定射频接收前端 的噪声系数不大于
线技术 ,一方 面它可 以实现室 内 10米 范 围 内 6.6dBc引,因此 ,设计的主要难点在于低功耗宽频带
110Mbps以上的高速无线通信 ,另一方面其发射功 下有好的噪声性能 。
率小于一41.25dBm/MHz,对其它通信设备干扰很 设计 的差分 CMOS低噪声放大器适用 3.1~
小,因此在个人局域 网(WPAN)等方面它有着广泛 4.7GHz频段 ,为系统级联前的单模块设计。文章第
的市场
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