- 1、本文档共26页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
MOS管工作原理详解.ppt
第三章 场效应管放大器 当uGS>0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②转移特性曲线: iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点: 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. MOS管的主要参数 (1)开启电压UT (2)夹断电压UP (3)跨导gm :gm=?iD/?uGS? uDS=const (4)直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层,输入电阻可达109~1015。 二. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构(以N沟为例): 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ,令uDS =0 ①当uGS=0时,为平衡PN结,导电沟道最宽。 (2)漏源电压对沟道的控制作用 4 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 * * 绝缘栅场效应管 结型场效应管 3.2 场效应管放大电路 效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路 3.1 场效应管 3.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。 FET分类: 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为: 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 (1)结构 4个电极:漏极D, 源极S,栅极G和 衬底B。 符号: (2)工作原理 当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义: 开启电压( UT)——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性: uGS < UT,管子截止, uGS >UT,管子导通。 uGS 越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例:作uDS=10V的一条转移特性曲线: UT 一个重要参数——跨导gm: gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上, gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。 定义: 夹断电压( UP)——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极: g:栅极 d:漏极 s:源极 符号: N沟道 P沟道 (1)栅源电压对沟道的控制作用 ②当│uGS│↑时,PN结反偏,耗尽层变宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ,沟道会完全合拢。 定义: 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢(消失)所需要的栅源电压uGS。 在漏源间加电压uDS ,令uGS =0 由于uGS =0,所以导电沟道最宽。
您可能关注的文档
- LTE互操作切换介绍.ppt
- LTE信令流程(移动研究院).ppt
- LTE信令流程图(端到端平台).doc
- LTE后台操作指导.doc
- lte基本原理和系统架构.ppt
- LTE帧结构&常见单板指示灯含义.doc
- LTE接口协议分析.ppt
- LTE核心网介绍(研究院网络所).ppt
- LTE空中接口技术与性能_1.ppt
- LTE空中接口技术与性能_2.ppt
- 5.3.1函数的单调性(教学课件)--高中数学人教A版(2019)选择性必修第二册.pptx
- 部编版道德与法治2024三年级上册 《科技提升国力》PPT课件.pptx
- 2.7.2 抛物线的几何性质(教学课件)-高中数学人教B版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 人教部编统编版小学六年级上册道德与法治9 知法守法 依法维权(第一课时)课件.pptx
- 三年级上册品德道德与法治《学习伴我成长》.pptx
- 部编版小学道德与法治六年级上册6 人大代表为人民 课件.pptx
- 部编版小学道德与法治六年级上册1感受生活中的法律第一课时课件.pptx
- 2.5.2圆与圆的位置关系(教学课件)-高中数学人教A版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 2.5.1直线与圆的位置关系-(教学课件)--高中数学人教A版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 14.1.1 同底数幂的乘法(教学课件)-初中数学人教版八年级上册.pptx
文档评论(0)