第4章CMOS集成电路的制造第4章CMOS集成电路的制造.PDFVIP

第4 章 CMOS 集成电路的制造 第4 章 CMOS 集成电路的制造 本章目录 •4.1 硅工艺概述 •4.2 材料生长与淀积 •4.3 刻蚀 •4.4 CMOS工艺流程 •4.5 设计规则 2015-9-10 第4章 CMOS集成电路的制造 1 §4.1 硅工艺概述 平面工艺，多层加工 以硅圆片为单位制作 硅圆片及其芯片部位 圆片的直径：100~300mm 圆片的厚度：0.4~0.7mm 2015-9-10 第4章 CMOS集成电路的制造 2 §4.1 硅工艺概述 集成电路成本 （1）固定成本 固定成本与销售量无关。包括基础设施和生产设备的建设费用； 研发费用；人工费用等。 （2 ）可变成本 可变成本是指直接用于制造产品的费用，与产品的产量成正比。 芯片成本+芯片测试成本+芯片封装成本 可变成本 最终测试的成品率 固定成本 每个集成电路的成本 每个集成电路的可变成本+ 产量 经济学观点：提高成品率将降低每个集成电路的成本，因此成 品率分析很重要。 2015-9-10 第4章 CMOS集成电路的制造 3 §4.1 硅工艺概述 成品率Y Y N G ×100% N G：功能正确的芯片数目 N T N T ：芯片的总数目 π(d 2 2 πd N ）− Adie ：芯片面积 T Adie 2Adie d ：圆片直径 D ×A −2 Y (1+ die )−α D ：缺陷密度，单位：cm α α：与制造工艺复杂性相关的参数 对于现代复杂的CMOS工艺，α≈3 圆片成本 4 芯片成本 ⇒芯片成本 f (芯片面积) N G 2015-9-10 第4章 CMOS集成电路的制造 4 §4.1 硅工艺概述 集成电路加工的基本操作 形成某种材料的薄膜 在各种薄膜材料上形成需要的图形 通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 2015-9-10 第4章 CMOS集成电路的制造 5 §4.2 材料生长与淀积 形成薄膜的方法 热氧化 物理气相淀积（PVD ） 化学气相淀