10级半导体物理复习.docVIP

半导体物理复习题 要弄清的概念或过程 电子的共有化运动 轨道杂化 能带 有效质量 杂质的束缚态和离化态 深能级杂质和浅能级杂质 杂质的补偿 迁移率及单位 小注入 非平衡载流子 非平衡载流子的复合 非平衡载流子的寿命 直接复合和间接复合 准费米能级 直接带隙半导体 间接带隙半导体 少子寿命 扩散系数 扩散长度 硅的双性行为 选择题 1．单晶硅的晶格结构和能带结构属于 （ ） A．闪锌矿型和直接禁带型结构；B．闪锌矿型和间接禁带型结构；C．金刚石型和直接禁带型结构；D．金刚石型和间接禁带型结构 2．在锗晶体中，若磷原子占据了锗原子的位置，则磷在锗中提供 （ ） A．价电子；B．空穴；C．受主离子 3．在硅晶体中，若硼原子占据了锗原子的位置，则硼在硅中提供 （ ） A．价电子；B．空穴；C．施主离子 4．在硅晶体中，同时掺有硼和镓杂质，硼原子浓度等于镓原子浓度，在杂质全电离情况下，该硅材料呈现出 （ ） A．N型；B．P型；C．中性 5．在硅晶体中，同时掺有硼和砷杂质，硼原子浓度大于砷原子浓度，在杂质全电离情况下，该硅材料呈现出 （ ） A．N型；B．P型；C．中性 6．硅中的本征载流子浓度随温度升高 （ ） A．变大；B．变小；C．载流子浓度与温度无关 7．对一定杂质浓度的硅材料，随温度升高，费米能级离本征费米能级 （ ） A．更近；B．更远；C．费米能级位置与温度无关 8．对一定的温度，随杂质浓度升高，硅的费米能级离本征费米能级 （ ） A．更近；B．更远；C．费米能级位置与杂质浓度无关 9．在杂质半导体的强电离区，载流子主要来源于 （ ） A．杂质电离；B．本征激发；C．不能确定 10．在杂质半导体的高温本征激发区，载流子主要来源于 （ ） A．杂质电离；B．本征激发；C．A、B两者之和 11．硅中电子的有效质量 （ ） A．只能为正；B．只能为负；C．可正可负 12．硅、和锗的禁带宽度随温度升高 （ ） A．变大；B．变小；C．禁带宽度的大小与温度无关 13．硅导带能量极值有 （ ） A．4个；B．6个；C．8个 14．准费米能级的引入，是基于 （ ） A．导带和价带的电子处于热平衡；B．导带和价带的电子各自处于热平衡；C．导带和价带的电子各自处于非平衡 P119 15．半导体中载流子的扩散系数取决于其中的 （ ） A．散射机构； B．复合机构； C．杂质浓度梯度； D．表面复合速度 16．以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率与温度的 （ ） A．平方成正比； B．平方成反比； C．3/2次方成正比； D．3/2次方成反比 17．三个硅样品的掺杂情况如下：甲 含镓1×1017 cm-3；乙 含硼和磷各1×1017 cm-3；丙 含铝1×1015 cm-3。这些样品电子扩散系数由大到小的顺序是 （ ） A．甲乙丙；B．甲丙乙；C．乙丙甲；D．丙甲乙 18．以下四种半导体中，最适合合制作高温器件的是 （ ） A．Si；B．Ge；C．GaAs；D．InSb 19．有效的复合中心能级通常都靠近 （ ） A．EC；B．EV；C．EI；D．EF 20．硅工艺中掺金的主要目的是 （ ） A．降低少子寿命；B．增加少子寿命；C．降低少子浓度；D．增加少子浓度 21．在下列的半导