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Battery Pack Introduction --base on P701 Agenda Battery Pack Circuit Analyze Overview Component Select Normal Status 1st protection Overcharge Protection overcharge detection voltage time Over discharge Protection over discharge detection voltage time over discharge release voltage Over current Protection Reverse 2nd Protection Overcharge Protection Thermal Protection APQ3的VGS（th）为0.95V，兩個電阻分壓,使產生合適的GATE電壓給FET。 濾波 RC濾波. APR14×(APC12,or APC13, APC14) ≧5×10-6uF?Ω (APR15 or APR16) × (APC12, or APC13, APC14) ≧1×10-4uF?Ω * Edit by Pamela Johnny Battery Pack Circuit Analyze Overview Component select Normal Status 1st PROTECTION Over Charge Function Over Discharge Function Over Current Function 2nd PROTCETION Over Charge Function 一般,對鋰離子可充電電池有一極保護和二極保護.此處,以S-8253A和S-8264A分別作為一極保護IC和二極保護IC來作介紹. 對於P701而言,沒有使用gas gauge IC,而是由EC來控制. 1st Protection  在P701上所做的1st保护的IC为S-8253，下图为组建1st保护的基本架构。 2nd protection 在P701上所做的2nd保护的IC为S-8264，下图为组建2nd保护的基本架构。 PROTECTION FETs 1st 保护应用中选择的是两个P-FET，APQ1为控制充电的MOS，选择的是SI4835BDY，耐电压为-30V，耐电流为-9.6A，Rds（on）在-10V的条件下为18mohm；APQ2为控制放电的MOS，选择为TPC8107，耐电压为-30V，耐电流为-13A， Rds（on）在-10V的条件下为5.5mohm。 设计考量： Rds(on) ： Rds(on)如果过小，会导致OCP误动作，在OverCurrent部分会有详细叙述； Rds(on)过大会导致OverCurrent情况下的无法保护，并且在正常工作时候消耗在Rds(on)的功耗增加。 Vgs(th)：在保护动作时候需要保证MOS的开启电压足够，由于过充电电压比过放电电压要高，所以过充电MOS的Vgs(th)可以比过放电MOS的高。目前选用的充电MOS Vgs(th)为-3V，放电MOS Vgs(th)为-2V。 耐电压耐电流：同时需要考量耐电压值大于cell端电压，耐电流值大于最大放电电流值。MOS能承受的最大pulsed current应大于短路时线路中最大电流值。 APQ1 APQ2 CAPACITORs 电容在battery pack保护线路中的作用：1，防ESD；2，滤波。 防ESD电容：BATTERY PACK在生产制作过程中，防止因ESD损坏MOS。Connect端由于经常地插拔，容易产生ESD，也会加入ESD电容。 设计考量：在此需要连接两个电容，如果其中一个电容short，另一个电容仍可以起作用。电容一般选择0.1uF，耐电压值大于最大充电电压值。一般选取25V耐压。 滤波电容：滤除高频NOSIE。Cell端与IC连接端均有RC滤波电路。 设计考量：RC滤波厂商建议应不小于51uF·Ω，且APC7×APR8= APC3×APR5= APC5×APR6。APR8同时可以做为CELL端反接保护用，允许因功率过大损坏APR8来断开回路。 从实验得到的数据来看，CELL端发生反接时，IC的Vss PIN的电压约为0.9V左右。详细内容在反接功能中有叙述。 APR8 S-8253 S-8264 Delay作用电容： 在2级保护的MOS gate端放置APC4，此电容同时也能