第一章 低频电子线路复习-2009-1.ppt

第一章 半导体器件与模型 1、本征半导体和杂质半导体 2、漂移电流和扩散电流 3、PN结及PN结的四大特性（1）单相导电性 （2）击穿特性 （3）电容特性 （4）温度特性 4、PN结的伏安特性 9、MOS场效应管 增强型 耗尽型 1、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压VD＝0.7V。 四、分析计算 （1） 解1：二极管导通时，根据题意其电路模型可用恒压降模型，各电路输出电压分别为： （2） （3） （4） （5） （6） 2、已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值I Z min＝5mA。求图所示电路中VO1和VO2各为多少伏。 解2： （1）假设电路处于稳压状态，流过电路的电流为： （2）假设电路处于稳压状态，流过电路的电流为： 稳压管无法保持稳压状态，而处于断开状态，输出电压为 3、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 解3：根据PCM＝200mW可得： VCE＝40V时,IC＝5mA， VCE＝30V时,IC≈6.67mA， VCE＝20V时,IC＝10mA， VCE＝10V时,IC＝20mA， 将各点连接成曲线，即为临界过损耗线， 如图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。 4、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 5、有两只晶体管， 一只的β＝200，ICEO＝200μA； 另一只的β＝100，ICEO＝10μA， 其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解5：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子， 因其β适中、ICEO较小， 因而温度稳定性较另一只管子好。 解4：不能。 因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。 试判断图题中二极管导通还是截止，为什么? 例1 （a） 解： 假设D截止(开路)，此时等效电路为 D两端的开路电压为 故二极管截止 试判断图题中二极管导通还是截止，为什么? （b） * 主要内容 导通条件， 沟道建立， 符号 6、半导体三极管在放大区的工作原理 （电流放大作用）和伏安特性 （放大、截止、饱和） 5、半导体三极管的结构及符号、主要参数 7、半导体三极管的小信号电路模型 8、半导体三极管工作状态判定 10、结型场效应管 一、基本概念 1-1 本证半导体与杂质半导体有什么区别？ 杂质半导体：在本证半导体中，掺入微量的杂质元素 本证半导体：纯净的、结构完整的半导体晶体 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？ 空穴作为带正电荷的载流子参与导电； 空穴在外力作用下能产生定向作用形成电流 正离子被束缚在原子结构中，不能产生定向作用 1-3 半导体中的漂移电流和扩散电流的区别是什么？ 漂移电流：在外电场的作用下载流子形成定向运动，并由此产生的电流。 扩散电流：在热运动基础上载流子从较高浓度区域相较低浓度区域扩散的定向运动，并由此产生的电流。 1-4 在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ 反偏时反向电流主要由两中性区靠近阻挡层边界的少子在内电场作用下通过漂移而形成，少子浓度取决于掺杂浓度以及温度，且远小于多子浓度，当反向电压的绝对值增加时，反向电流几乎不变，故又称为反向饱和电流。 1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？ 二极管作为电阻时，其伏安特性呈现非线性特性，即电阻值是变化的，正向偏压时电阻小，反向偏压时电阻大 一般由导体构成的电阻的伏安特性呈现线性特性，即电阻值一般可认为是常数。 1-6 在用万用表的电阻挡测二极管的正向电阻时，发现R×10挡测出的阻值小， 而R×100挡测出的阻值大，为什么？ 用万用表的电阻挡测电阻时，R×10挡流过表笔即被测元件的电流大， 而R×100挡流过的电流小，使得在相同的电源电压条件下， R×100挡测量范围大于R×10挡的测量范围。 二极管的正向电阻的定义是：其伏安特性曲线上工作点处曲线斜率的倒数。 因此，当用R×10挡出的二极管正向电阻值由于流过二极管的正向电流大，而测得的阻值小。 1-7 两个半导体背靠背连接起来，是否能够成一个半导体三极管，为什么？ 两个半导体背靠背连接起来时，两个PN结独立构成，互不影响。 PN结正向电流大，反向电流小，无法实现受控放大作用 半导体三极管的两个PN结由两个反向排列，且