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2016-02-03 发布于浙江
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CS630A3H

Huajing Discrete Devices R ○ Silicon N-Channel Power MOSFET CS630A3H General Description： VDSS 200 V CS630A3H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 9 A P (T =25 ℃) 83 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the D C conduction loss, improve switching performance and enhance RDS(ON)Typ 0.23 Ω the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-251, which accords with the RoHS standard. Features ： Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤0.28Ω) Low Gate Charge (Typical Data:13nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:10pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications ： Automotive 、DC Motor Control and Class D Amplifier. Absolute （Tc= 25 ℃ unless otherwise specified ）： Symbol Parameter Rating Units VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V Continuous Drain Current 9 A ID Continuous Drain Current T = 100 °C 5.5 A