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CS8N65FA9H
Huajing Discrete Devices R
○
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS8N65FA9H
General Description： VDSS 650 V
CS8N65FA9H, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P (T =25 ℃) 45 W
D C
which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 1.0 Ω
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is
TO-220F, which accords with the RoHS standard.
Features ：
Fast Switching
Low ON Resistance(Rdson≤1.3Ω)
Low Gate Charge (Typical Data:40nC)
Low Reverse transfer capacitances(Typical:12pF)
100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications ：
Power switch circuit of adaptor and charger.
Absolute （Tc= 25 ℃ unless otherwise specified ）：
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 650 V
Continuous Drain Current 8 A
ID
Continuous Drain Current T = 100 °C 5.5
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