TPCS8212.pdfVIP

下载本文档

6
0
约4.21万字
约 7页
2016-02-03 发布于浙江
举报
版权申诉

TPCS8212.pdf

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

TPCS8212

查询TPCS8212供应商 TPCS8212 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPCS8212 Lithium Ion Battery Applications Unit: mm • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs | = 11 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 20 V) • Enhancement-mode: Vth = 0.5~1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA) • Common drain Maximum Ratings (Ta 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 20 V Drain-gate voltage (RGS 20 kΩ) VDGR 20 V Gate-source voltage VGSS ± 12 V DC (Note 1) ID 6 Drain current A Pulse (Note 1) IDP 24 JEDEC ― Drain power Single-device PD (1) 1.1 operation (Note 3a) JEITA ― dissipation (t 10 s) Single-device value (Note 2a) at dual operation PD (2) 0.75