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必威体育精装版半导体工艺光刻+蚀刻.ppt
INTRADUCTION 芯片制造工艺 光刻工艺 刻蚀工艺 光刻+蚀刻 最重要 决定着芯片的最小尺寸 制造时间的40-50% 制造成本的30% 玻璃模版 光刻 光化学反应 蚀刻 腐蚀 光刻胶膜 硅片 光刻工艺 photoresist silicon substrate oxide 紫外光 光刻胶上的阴影 光刻胶的曝光区 模版上的铬岛 硅衬底 光刻胶层 氧化层 岛 使光衰弱的被曝光区 光刻胶显影后的最终图形 窗口 光刻胶层 氧化层 硅衬底 光刻原理 使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形 在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料 光刻工艺 显影检查 曝光后烘焙 显影 坚膜烘焙 紫外光 模版 ? ? 对准和曝光 光刻胶 旋转涂胶 软烘 清洗+喷涂粘附剂 HMDS 光刻工艺步骤 光刻工艺 涂胶 曝光 显影 模板 Normal Incomplete over under 光刻工艺 —— 显影后 光刻胶上的IC设计图形 晶圆表面 腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，如Si、SiO2，金属、光刻胶等 湿法和干法 蚀刻工艺 刻蚀工艺 用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等） 以化学方式去除Si表面的材料 刻蚀工艺 —— 湿法 Plasma 刻蚀工艺 —— 干法 把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。 亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法 曝光 显影 显影液 蚀刻 酸 气体 去光阻 去光阻液 光刻+刻蚀 开启电极接触窗口 蒸金，光刻+刻蚀 制作连接导线 连接导线的制作
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