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第五章 General Test Items Discussion – Functional Test(功能测试) 输入输出波形示意图 第六章 AC参数的测试（时间特性） 1.Tr上升时间（tf下降时间） 通常注意事项 1.与IC工作频率有关，tr（tf）越小则频率越高 2.strobe时间要尽量短 3.两个参数都是对输出而言 4.freq工作频率＝1/(tr+tf)(?有待商榷) 5.tr（tf）5ns(TTL电路) tr（tf）10ns（CMOS电路） 测试流程 使用2分法进行测试，具体方法如下 如图所示，t1，t2分别为两个strobe点（宽度要尽量小），S0,S1实质上就是要找到的VOH和VOL，此处是加以区别，避免混乱。此VOH和VOL是测试tr和tf需要设置的，而前面通过VOH参量测试量测出来的VOH指这里的VOHmin（VOL此处没有表示出来因其在此处没有作用） **令S0=90％VOHmin，取样点t3＝(t1+t2)/2,如果FAIL则t4=(t3+t1)/2,PASS则t4=(t3+t2)/2。以此类推直至取样点t处电压临界满足高电平，此t就是S0t **再令S1＝10％VOHmin，重复上步操作，找到S1t，tr＝|S0t-S1t| tf测试方法与tr相同 如何用低频测试机测试高频信号 测试高频时需要分频，具体如下 建立时间和保持时间的概念： 建立时间Tsu和保持时间Th 测试方法 1、? 串行/静态测试法????实施IOZ测试时，施加VDD，运行将器件管脚预处理到高阻态的向量。DC测试系统（如PMU）依次驱动高电平和低电平到某个待测管脚，测量电流值，然后将测量值与规格书中的边界值相比较，并判断测试通过与否。此过程不断重复直到所有的高阻态管脚均测试完毕。测试时确定VDD、VOZ（voltage applied to the output）施加正确，并检查程序中电流边界设定正确与否；此项测试要求设定电流钳制。??? 与之前的DC类测试相似，串行测试法的优点在于能够独立测试每个管脚，缺点也是测试时间的问题。 2、? 并行测试法??? 一些测试系统拥有并行DC测试的能力，如per pin PMU结构的测试系统，用它们进行IOZ测试则简单的多：施加VDD，运行预处理向量，先向所有的待测管脚同时施加低（或高）电平，测量电流值，并将测量值与规格书定义的测试边界相比较，判断测试通过与否；再同时施加高（或低）电平，重复上一操作。 ??????????? 优缺点相信大家都清楚：节省了测试时间，但是测试系统本身成本高 注：a. 之前提到的集体测试法不能运用于IOZ测试。 ?????? b. 测试前仔细阅读相关文档，确定哪些管脚需要测试。 ?????? c. VDD施加VDDmax ；施加到管脚的电平，高对应VDDmax，低对应0V 阻抗计算??? 前面说过，IOZ测试的实质是测量高阻态下的输出管脚的相关阻抗。由欧姆定律R=V/I可知，图中的最小阻抗为2.625Mohm，当实际阻抗低于此值，测试将会fail. 一般来说，CMOS器件的输出阻抗范围在20M-50Mohm之间，因此高阻态下的输出阻抗会更高，基本上远远高于器件规格书中的定义值。 当测试不通过的情况发生，我们首先要找找非器件的原因：将器件从socket上拿走，运行测试程序空跑一次，测试结果应该为0电流；如果不是，则表明有器件之外的地方消耗了电流，我们就得一步步找出测试硬件上的问题所在并解决它，这和我们之前介绍的电流类测试是一致的。??? ?故障寻找??? 打开datalogger观察IOZ测量结果，测试某个器件后，其测试结果不外乎以下三种情况：??????? 1．? 电流在正常范围，测试通过；??????? 2.? 电流高于上限或低于下限，测试不通过，但是电流在边界附近或在机台量程之内，偏差较小；??????? 3.? 电流高于上限或低于下限，测试不通过，且电流不在边界附近或在机台量程之外，偏差较大。 第四章.DC参数测试- IOS test 输出短路电流（output short circuit current） ?????? 输出短路电流（IOS），顾名思义，就是输出端口处于短路状态时的电流。下面是一款器件的规格书中关于IOS的部分： Parameter Description Test Conditions Min ? Max Units IOS Output Short Circuit Current Vout = 0VVDD = 5.25V *Short only 1 output at a time for no longer than 1 second -85 -30 mA