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半导体物理学 考试安排: 采用开卷笔试的考核办法。 总评成绩构成比例为：平时成绩40%； 期末考试60%。 考试内容：第1章-第9章 12章 试题构成：选择10分；填空20分；简答50分；计算20分 样题 一、单选题（每小题 1分，本题共 10分） 1. 下面pn结中不属于突变结的是（ ） A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p+n结 C.高表面浓度的浅扩散n+p结 D. 低表面浓度的深扩散结 样题 二、填空题（每空 1分，本题共20分） 1. 表示________ 样题 三、简答题（每小题5分，共10小题） 1.图1是热平衡时pn结能带发生弯曲的示意图。试根据此图回答下列问题： （1） 势垒高度的大小是多少？（用图上变量表示）（） （2）平衡pn结能带最主要的两个性质是什么？ 样题 四、计算题（每小题5分，共4小题） 1. 电阻率为 的P型硅，计算室温时多子和少子浓度。（已知室温时空穴的迁移率为?p=500cm2/V.s ） 半导体物理学复习纲要要求1-9章 12章 ch1半导体中的电子状态 ch2半导体中杂质和缺陷能级 ch3半导体中载流子的统计分布 ch4半导体的导电性 ch5非平衡载流子 ch6pn结 Ch7金属-半导体结 Ch8MOS结构 Ch9异质结 Ch12半导体磁效应 第1章 半导体中的电子状态要求1-7节 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2 半导体中的电子状态和能带1.3 半导体中电子的运动 有效质量1.4 本征半导体的导电机构 空穴1.5 回旋共振1.6 硅和锗的能带结构1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构1.8 Ⅱ-Ⅵ族公合物半导体的能带结构1.9 SI1-xGex合金的能带1.10 宽禁带半导体材料 第一章 第一节 半导体的晶体结构和结合性质 金刚石型结构和共价键 闪锌矿型结构和混合键 纤锌矿型结构 第二节 半导体中的电子状态和能带 原子的能级和晶体的能带 半导体中的电子状态和能带 导体、半导体、绝缘体的能带 第一章 第三节 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中E（k）与k的关系 半导体中电子的平均速度 半导体中电子的加速度 有效质量的意义 第四节 本征半导体的导电机构 空穴 第五节 回旋共振 k空间等能面 回旋共振 第六节 硅和锗的导带结构 间接带隙半导体 第七节 砷化镓的能带结构 直接带隙半导体 练习1 练习2 第2章 半导体中杂质和缺陷能级（2.3不要求） 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级2.4 缺陷、位错能级 第二章 第一节 硅、锗晶体中的杂质和缺陷能级 替位式杂质 间隙式杂质 施主杂质、施主能级 受主杂质、受主能级 浅能级杂质电离能的简单计算 杂质的补偿的作用 深能级杂质 第二节 Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级 第三节 缺陷、位错能级 点缺陷 位错 练习3 第3章 半导体中载流子的统计分布要求1-5 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 第三章 第一节 状态密度 空间中量子态的分布 状态密度 第二节 费米能级和载流子的统计分布 费米分布函数 玻耳兹曼分布函数 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 载流子的浓度乘积 第三节 本征半导体的载流子浓度 第三章 第四节 杂质半导体的载流子浓度 杂质能级上的电子和空穴 n型半导体的载流子浓度 第五节 一般情况下的载流子统计分布 练习4 nn0、 pn0表示什么量？二者的关系如何？ 答：nn0表示平衡时n型半导体中的多数载流子电子浓度，而pn0表示n型半导体中少数载流子空穴浓度， 练习5 第四章 第一节 载流子的漂移运动和迁移率 欧姆定律 漂移速度和迁移率 半导体的电导率和迁移率 第二节 载流子的散射 载流子散射的概念 半导体的主要散射机构 第三节 迁移率与杂质浓度和温度的关系 平均自由时间和散射概率的关系 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 迁移率与杂质和温度的关系 第四章 第四节 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 电阻率和杂质浓度的关系 电阻率随温度的变化 第六节 强电场下的效应、热载流子 欧姆定律的偏移 平均漂移速度与电场强度的关系 第七节 多能谷散射 耿氏散射 多能谷散射、 体内负微分电导 高场畴区及耿氏振荡 练习6 图中C是空穴电流方向，问A、B、D中哪个