《功率半导体发光二极管芯片最终稿090608》.pdf

ICS 31.260 L 45 备案号: SJ 中华人民 共和 国电子行 业标准 SJ/T — 功率半导体发光二极管芯片技术规范 Technical spec ification for power light-emitting diode chips （报批稿） ××××- ××- ××发布 ××××-××-××实施 中华人民共和国信息产业部 发布 PDF created with pdfFactory Pro trial version PDF created with pdfFactory Pro trial version SJ/T ××××－XXXX 目 次 前言Ⅱ 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 要求1 3.1 通则1 3.2 材料、结构和工艺1 3.3 标志1 3.4 外观质量1 3.5 绝对最大额定值和特性2 3.6 环境适应性2 3.7 电耐久性3 3.8 静电放电敏感度试验（适用时） 3 4 检验方法3 4.1 测试条件3 4.2 材料、结构和工艺3 4.3 标志4 4.4 外观质量4 4.5 光、电、色度及热特性 4 4.6 环境适应性4 4.7 电耐久性4 4.8 静电放电敏感度试验 5 5 检验规则5 5.1 检验职责5 5.2 检验分类5 5.3 批的组成5 5.4 抽样5 5.5 重新提交5 5.6 筛选5 5.7 鉴定检验6 5.8 质量一致性检验6 5.9 样品的处理8 5.10 不合格8 5.11 检验记录9 6 包装、运输、储存9 6.1 包装要求9 6.2 运输要求9 6.3 储存要求9 附录A （规范性附录） 功率半导体发光二极管芯片的目检 10 附录B （规范性附录） 人体模式静电放电敏感度分级及标志 13 附录C （资料性附录） 本规范参加单位 13 I PDF created with pdfFactory Pro trial version SJ/T ××××－XXXX 前 言 本规范