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berkley_半导体工艺讲义_03--硅器件物理
EE143 F05 Lecture 3
Electrical Resistance
V
I
+ _
W
t
Material with resistivity ρ
L
V L
Resistance R ≡ ρ (Unit: ohms)
I Wt
where ρ is the electrical resistivity
Professor N Cheung, U.C. Berkeley 1
EE143 F05 Resistivity Range of Materials Lecture 3
Adding parts/billion
to parts/thousand
of “dopants” to pure
Si can change
resistivity by
8 orders of Si with dopants
magnitude !
SiO2, Si3N4
Professor N Cheung, U.C. Berkeley 1 Ω-m = 100 Ω-cm 2
EE143 F05 Lecture 3
The Si Atom The Si Crystal
“diamond” structure
High-performance semiconductor devices require defect-free crystals
Professor N Cheung, U.C. Berkeley 3
EE143 F05 Lecture 3
Carrier Concentrations of Intrinsic (undoped) Si
Bottom of
electron
conduction band
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