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300的mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现
No．5
第50卷第5期 机械工程学报 V01．50
2014年3月 MaL 2014
JOURNALOFMECHANICALENGINEERING
DOI：10．390l，JME．2014．05．182
300
mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现木
王同庆路新春赵德文 门延武何永勇
(清华大学摩擦学国家重点实验室北京 100084)
mech姐ical
摘要：在芯片微细化和互连多层化趋势下，化学机械抛光(CheIIlical
针对300mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300衄晶圆CMP装备水平远远落后的现状，开展300mm晶圆
CMP装备关键技术研究。研制出300mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统，该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真
空吸附等功能，每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测；压力控制系统性能测试结果表明，该系统可实现
689．5
l【Pa
机，创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程，并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明：抛光压力为15．169
时，材料去除率达671．3n州min，片内非均匀性为3．93％。
关键词：300mm晶圆；抛光头；多区压力：超低压力；化学机械抛光
中图分类号：THll7
Researchand on ofChemical
ImplementatiOnCritical，】1echnology
Mechanical for300mmWjjlfer
PoUshing，】’ool
WANG LUXinclnmZHAODewenMENY-an、ⅧHE
Tongqing Yongyong
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Laboratory
(S讹Key T柚olo鼢TsinghuaUnivers咄Beijing00084)
Abstract．Astllefeaturesizescalesdown蚰dt11e ofmultilcvel mech姐ical
implem曲训on nletallization，chemical
hasbecomeoneofmemost mm
in也e c珏cuib 300
importanttechnolo酉esuh孙large·scaleinte黜d m钺叫砬蛐g．However，the
waferCMPtoolis afew mereforcmeresearchlevelof300mm
beingincreasiIlglymonopolizedby砌y fore咖c唧anies，and
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