金属有的机化学气相沉积w薄膜.pdf

29 5 粉末冶金技术 Vol. 29 ，No. 5 第 卷第 期 2011 10 Powder Metallurgy Technology Oct. 2011 年 月 * W 金属有机化学气相沉积 薄膜 1)，2) 1) 1) 2) 1) 2) 李一 ＊＊ 李金普 贾成厂 柳学全 李发长 李楠 1)( ， 100083) 北京科技大学材料科学与工程学院 北京 2)( ， 100081) 钢铁研究总院粉末冶金研究室 北京 : W (CO) ， (MOCVD) Cu W 摘 要 以 6 为前驱体 采用金属有机化学气相沉积法 在 基体表面进行了沉积 薄 。 W (CO) 、W (CO) ( ) ， 膜的研究 通过调整 6 热解温度 6 气化温度及载气 高纯氢气 的流量等工艺参数 成功制备 、 W ; ， 了均匀 致密的 薄膜 研究了沉积速率与上述参数之间的关系 并得出了在本试验条件下应用金属有机化 (MOCVD) W : 320 ～ 380℃ ， 160 ～ 200ml / min 。 学气相沉积法 制备 薄膜的最佳工艺参数 热解温度为 载气流量为 : (MOCVD); (W (CO)); 关键词 金属有机化学气相沉积 六羰基钨 6 薄膜 A research on the technique for tungsten films by metal-organic chemical vapor deposition 1)，2) 1) 1) 2) 1) 2) Li Yi ＊＊ ，Li Jinpu ，Jia Chengchang ，Liu Xuequan ，Li Fachang ，Li Nan 1)(School of Materials Science and Engineering ，University of Science and Technology Beijing ，Beijing 100083 ，China) 2)(Powder Metallurgy Laboratory ，Genaral Research Institute for Iron and S