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物理气的相沉积
PVD (物理气相沉积)薄
膜工艺及设备介绍
赵德胜
1
主要内容
一 PVD薄膜沉积的基本原理
二 PVD薄膜沉积各种方式的比较
三 PVD薄膜沉积中常见问题
四 PVD薄膜的表征
五 纳米加工平台现有设备介绍
2
一 PVD薄膜沉积的基本原理
在半导体行业PVD主要用于金属化
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,
PVD)技术:表示在真空条件下,采用物理方
法,将材料源-固体或液体表面气化成气体原
子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体
(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有特
殊功能薄膜的技术。
3
一 PVD薄膜沉积的基本原理
PVD技术的分类
物理气相沉积(PVD ) 真空蒸镀 电子束(EB )蒸发
热蒸发
溅射镀膜 直流溅射
射频溅射
脉冲直流溅射
离子镀
4
一 PVD薄膜沉积的基本原理
真空蒸镀
真空蒸镀是将镀料在真空中加热、蒸发,使蒸
发的原子或原子团在温度较低的基板上凝结,
形成薄膜。
热蒸发、EB蒸发。
一 PVD薄膜沉积的基本原理
热蒸发原理及特点
热蒸发是在真空状况下,将所要蒸镀的材料
利用电阻加热达到熔化温度,使原子蒸发,
到达并附着在基板表面上的一种镀膜技术。
特点:装置便宜、操作简单广泛用于Au、Ag、
Cu、Ni、In、Cr等导体材料。
一 PVD薄膜沉积的基本原理
E-beam蒸发原理
热电子由灯丝发射后,被加速阳极加速,获得
动能轰击到处于阳极的蒸发材料上,使蒸发材
料加热气化,而实现蒸发镀膜。
特点:多用于要求纯度极高的膜、绝缘物的蒸
镀和高熔点物质的蒸镀
电子束
熔融的
蒸镀源
水
水冷
坩埚
一 PVD薄膜沉积的基本原理
溅射镀膜
溅射-用带有几十电子伏以上动能的粒子或粒
子束照射固体表面,靠近固体表面的原子会获
得入射粒子所带能量的一部分进而向真空中放
出,这种现象称为溅射。
一 PVD薄膜沉积的基本原理
溅射镀膜
磁控溅射-电子在电场的作用下加速飞向基片
的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩
离子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的
作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子
,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成
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