023的 寄生效应+无源元件.pdf

寄 生 效 应  双极型晶体管寄生效应 1. 集成双极晶体管结构：四层三结 2. 寄生晶体管：由工作晶体管NPN的基区、集电区和衬 底所构成的晶体管PNP 集成电路中的晶体管包含有寄生晶体管，这是它和分立晶体管的主要区别 2007级 集成电路专业 黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 卜 丹 2  双极型晶体管寄生效应 3. 寄生效应：寄生晶体管电流对工作管的影响 降低寄生效应措施： ① 掺金：复合中心增加，降低寄生管pnp基区（npn集电区） 少子寿命，降低pnp管电流放大倍数β ② 埋层：寄生管基区变宽，少子在基区复合电流增加， 寄生pnp管电流放大倍数β降低； 掺杂浓度增加，寄生管基区方块电阻降低，发射 效率下降，寄生pnp管电流放大倍数β降低 2007级 集成电路专业 黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 卜 丹 3  双极型晶体管寄生效应 4. 寄生电阻：发射极串联电阻rES 集电极串联电阻rCS 基区电阻rB 2007级 集成电路专业 黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 卜 丹 4  双极型晶体管寄生效应 4. 寄生电阻： 发射极串联电阻rES R C r r  r  r ES E b E c E c , , , S E rE,b 发射区体电阻 rE,c 发射极金属和硅的接触电阻 RC 硅与发射极金属的欧姆接触系数 SE 发射极接触孔面积 小电流情况下，r 可忽略不计 ES 2007级 集成电路专业 黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 卜 丹 5  双极型晶体管寄生效应 4. 寄生电阻： 集电极串联电阻rCS r r r r   CS C C 1 C 2 3 减小r 方法：加埋层 CS 改进版图设计 2007级 集成电路专业 黑龙江大学 《CMOS模拟集成电路设计》 卜 丹 6  双极型晶体管寄生效应 4. 寄生电阻： 基区电阻rB r r r r   B B B1 B2 3 rB1 内基区电阻，即发射区扩散层下面的基区电阻 rB2 外基区电阻，即发射区扩散层边缘到基极接触