第六章 化学气相淀积习题参考答案.pptVIP

第六章 化学气相淀积习题参考答案 1 简述影响淀积速率的各个因素。 答：第一，根据公式 有 2 列举化学气相淀积技术的三种分类方法。 答：1）按淀积温度分：低温淀积、中温淀积； 2）按反应室内部压力分：常压淀积、低压淀积； 3）按反应室器壁温度分：冷壁式淀积、热壁式淀积； 4）按淀积反应的激活方式分：光激活、等离子体激活等。 3 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。 答： 1） APCVD特点 　　操作简单、淀积速度较高、适合介质薄膜的淀积；易发生气相反应，产生微粒污染，台阶覆盖性和均匀性较差；一般由hg控制，需精确控制单位时间到达硅片表面各处的反应剂数量，保证薄膜的均匀性。 2）LPCVD特点 　　均匀性和台阶覆盖比APCVD好、污染少、降低压强可降低气相成核；但淀积速率较低、工作温度较高；真空及中等温度条件下，淀积速率受表面反应控制ks，需精确控制温度； 3）PECVD特点 　淀积温度低200~350℃，适于布线隔离；淀积速率更高；具有良好的附着性、低针孔密度、良好的台阶覆盖及电学特性、可与精细图形转移工艺兼容；属于表面反应速率控制型，需准确控制衬底温度。 4 列表对比CVD SiO2的各种方法、反应条件、特点。 * 淀积速率与反应剂浓度成正比（未使用稀释气体）； 淀积速率与在气相中反应剂的摩尔百分比成正比（使用稀释气体）； 第二，反应剂浓度成正比或气相中反应剂的摩尔百分比为常数时， 高温情况下hg ks ，淀积速率 由气相质量输运速率决定； 低温情况下hg ks ，淀积速率受表面反应速率控制。 低温CVD SiO2 淀积速率250~800nm/min；反应剂室温下为液体，安全；台阶覆盖和间隙填充特性好。 PECVD系统、淀积温度250~425℃、气压266.6~1333Pa TEOS和氧的反应Si(OC2H5)4 + O2 ?SiO2 + 副产物 薄膜特性与反应剂比例的关系。 PECVD系统、氩气稀释、反应温度200~400 ℃ 硅烷和N2O反应SiH4(气) +2N2O (气) ?SiO2 (固) +2N2 (气) + 2H2 (气) 淀积速率与温度、氧气含量关系；需致密化。 三大系统均可、氮气稀释、氧过量、硅片加热至250~450℃ 硅烷和氧反应 SiH4(气) +O2 (气)?　SiO2(固) +2H2 (气) 特点 反应条件 方法 *