改良西门子法制备高纯多晶硅资料.doc

改良西门子法制备高纯多晶硅 摘 要：本文主要叙述了高纯多晶硅的各种制备方法，有三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法、流化床法、物理提纯法等其他制备高纯多晶硅的工艺。[1]其中重点介绍了现在普遍都使用，技术相对成熟的改良西门子法，包括改良西门子法的制备工艺、三氯氢硅的提纯与尾气处理。 关键词:高纯多晶硅；良西门子法；尾气处理 The preparation of high purity poly crystalline silicon modified Siemens Abstract：This paper mainly describes various preparation methods of high purity silicon,hydrogen reduction method,the silicon cross-linked with hydrogen silica thermal decomposition method,silicon tetra chloride hydrogen reduction method,fluidity bed method,physical purification method preparation of high purity poly crystalline silicon and other crafts. Which focus on widely used now， the technology is relatively mature and improved Siemens method,including improved Siemens method of preparation,chemical hydrogen purification of silicon and tail gas treatment. Keywords: high purity poly crystalline silicon；a good method of Siemens；tail gas treatment. ~200mm ，制成半导体级高纯多晶硅。其反应式为： SiHCl3+H2 →Si+3HCl （2） 或2（SiHCl3）→Si+2HCl+SiCl4 （3） 或者将高纯多晶硅粉末置于加热流化床上，通入中间化合物三氯氢硅和高纯氢气，让生成的多晶硅沉积在硅粉上，形成颗粒高纯多晶硅。 1.2 硅烷热分解法 用硅烷作为中间化合物有特别的优点，首先是硅烷宜于提纯，硅中的金属杂质在硅烷的制备过程中，不易形成挥发性的金属氢化物气体，硅烷一旦形成，其剩余的主要杂质仅仅是B和P等非金属，相对容易去除；其次是硅烷可以热分解直接生成多晶硅，不需要还原发应，而且分解温度相对较低。但是，硅烷法制备的多晶硅虽然质量好，综合生产成本却很高。 制备硅烷有多种方法，一般利用硅化镁和液氨溶剂中的氯化铵在0℃以下反应，这是由日本小松电子公司（Komatsu）发明的，具体反应式是： Mg2Si+ 4NH4Cl→ 2MgCl2+ 4NH3 + SiH4 （4）另一种重要的硅烷制备技术是美国联合碳化物公司（U nion Carbide）提出的，其主要反应式为： 3SiCl4+ Si+ 2H2 →4SiHCl3 （5） 2SiHCl3→ SiH2Cl2+ SiCl4 （6） 3SiH2Cl2→ SiH4 + 2SiHCl3 （7）生成的硅烷可以利用精馏技术提纯，然后通入反应室，细小的多晶硅硅棒通电加热到850℃以上，硅烷分解，生成的多晶硅沉积在硅棒上，如美国AsiMi、SGS（现REC）公司，其化学反应为： SiH4 → Si+ 2H2 （8） 同样，硅烷的最后分解也可以利用流化床技术，能够得到颗粒高纯多晶硅，如美国的MEMC 公司。[2] 1.3 四氯化硅氢还原法 四氯化硅氢还原法是早期最常用的技术，但是材料利用率低，能耗大，现在已很少用。该方法利用金属硅和氯气发生反应，生成中间化合物四氯化硅，其反应式为： Si+ 2Cl2→ SiCl4 （9）同样采用精馏技术，对四氯化硅提