晶体管及其基本放大电路资料.ppt

2.1.2 晶体管的三种连接方式 根据所选择的公共端e、c、b的不同，晶体管在电路中分别有三种不同的连接方式 2.1.3 晶体管的工作状态 工作状态可分为三种： 放大状态 饱和状态 截止状态 1. 放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置 ） ② 共基直流电流放大系数 (3) 晶体管的放大作用 晶体管的放大作用举例 现在用图2–3来说明在共基接法下晶体管的放大作用。若在图中VEE上叠加一幅度为20mV的正弦电压Δui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiE，例如为1mA，而IC= IE，（当 =0.98时， ΔiC=0.98mA） 电流放大作用的实质 是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此，晶体管称为电流控制型器件。 定义 ：保持工作点处UCE不变，集电极电流变化量与基极电流变化量之比，称为共发射极交流电流放大系数。即 定义 ：保持工作点处UCB不变，集电极电流变化量与发 射极电流变化量之比，称为共基极交流电流放大系数。 即 2. 饱和状态 (发射结正向偏置、集电结正向偏置) 3. 截止状态 （发射结反向偏置、集电结反向偏置） 晶体管发射结反向偏置或零偏(UBE≤0)，集电结反向偏置(UBC＜0），不利于发射极多数载流子的扩散运动，发射极电流几乎为零，此时，集电极流过反向饱和电流IC=ICBO， 基极电流： IB= –ICBO， ICBO很小可忽略不计，认为晶体管处于截止状态。 分析 ① 工作于放大状态的晶体管，发射结正向偏置、集电结反 向偏置，有：NPN管UC＞UB＞UE，PNP管UC＜UB＜UE 基极电位总是居中，据此可确定基极； ② 硅管UBE的约为0.6~0.8V、锗管的UBE约为0.2~0.4V， 从而可判断出与基极相差这一数值的电极为发射极， 并由这一差值大小判断是硅管还是锗管； ③ 余下一个电极为集电极。 ④ 集电极电位最高的为NPN管，集电极电位最低的为PNP 管。 【例2-2】 测得工作在放大状态的晶体管两个电极的电流 如下图 所示。 (1) 求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。 (2) 标出e、b、c极，并判断出该管是NPN管还是PNP管。 (3) 若ICBO均为零，试求 及 的值。 【解】：① 晶体管三个电极的电流关系为： 其中 最小、 居中、 最大；② 工作于放大状态时，对于 NPN 管： 流出晶体管， 、 流入晶体管。对于PNP管： 流入晶体 管， 、 流出晶体管。标出的电流方向及管子类型如下： 左右，锗管约为0.3V左右。 2.1.5 晶体管的直流模型 【例2-3】 晶体管VT的特性曲线如下图所示，在其上确定PCM、ICEO、U(BR)CEO。在如下电路中，当开关S接在A、B、C三个触点时，判断晶体管VT的工作状态，确定UCE的值。 1. 确保晶体管工作于放大区 1.静态： ui=0. 优点:可以直观全面地了解放大电路的工作情况，通过选择电路参数在特性曲线上合理地设置静态工作点，分析最大不失真输出电压、失真情况并估算动态工作范围。 缺点:在特性曲线上作图比较繁琐，误差大，信号频率较高时，特性曲线不再适用。因此图解法只适合分析输出幅值比较大且工作频率较低的情况。在分析其他动态指标，如输入电阻、输出电阻等时比较困难。下一节将要讨论更为简便有效的分析方法，微变等效电路分析法。 4.源电压放大倍数 判断非线性失真 图解法、微变等效电路法比较 (1) 图解法，精度低，繁琐，适合大信号的场合。其要点是：首先确定静态工作点Q，然后根据电路的特点